Redes de impulso de energia renovável GeneSiC Semiconductor US $ 1,5 milhão do Departamento de Energia dos EUA

DULLES, VA, novembro 12, 2008 – O Departamento de Energia dos EUA concedeu à GeneSiC Semiconductor duas doações separadas, totalizando US $ 1,5 milhão para o desenvolvimento de carboneto de silício de alta tensão (SiC) dispositivos que servirão como facilitadores-chave para o vento- e integração de energia solar com a rede elétrica do país.

“Esses prêmios demonstram a confiança do DOE nas capacidades do GeneSiC, bem como seu compromisso com soluções de energia alternativa,”Observa o Dr.. Ranbir Singh, presidente da GeneSiC. "Um Integrado, rede de energia eficiente é crítica para o futuro energético da nação - e os dispositivos SiC que estamos desenvolvendo são essenciais para superar as ineficiências das tecnologias convencionais de silício. ”

O primeiro prêmio é um subsídio SBIR de Fase II de US $ 750.000 para o desenvolvimento de, dispositivos bipolares SiC de ultra-alta voltagem. O segundo é um subsídio STTR de Fase II de US $ 750.000 para o desenvolvimento de switches SiC de alta potência com controle óptico.

O carboneto de silício é um material semicondutor de próxima geração com a capacidade de lidar com 10x a voltagem e 100x a corrente do silício, tornando-o idealmente adequado para aplicações de alta potência, como energia renovável (eólica e solar) instalações e sistemas de controle de rede elétrica.

Especificamente, os dois prêmios são para:

  • Desenvolvimento de alta frequência, Multi-kilovolt SiC gate-off-off (GTO) dispositivos de energia. Aplicações governamentais e comerciais incluem gerenciamento de energia e sistemas de condicionamento para navios, a indústria de utilidades, e imagens médicas.
  • Projeto e fabricação de alta tensão opticamente fechada, dispositivos de comutação SiC de alta potência. Usar fibra óptica para alternar energia é uma solução ideal para ambientes atormentados por interferência eletromagnética (EMI), e aplicações que requerem voltagens ultra-altas.

Os dispositivos SiC que GeneSiC está desenvolvendo servem a uma variedade de armazenamento de energia, malha energética, e aplicações militares, que estão recebendo atenção cada vez maior à medida que o mundo se concentra em soluções de gerenciamento de energia mais eficientes e econômicas.

Sediada fora de Washington, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, GeneSiC Semiconductor Inc. é um inovador líder em alta temperatura, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SiC) dispositivos. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, transistores de efeito de campo (FETs) e dispositivos bipolares, bem como partícula & detectores fotônicos. GeneSiC tem contratos principais / subcontratados das principais agências do governo dos EUA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Marinha, DARPA, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, fabricação, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, por favor visite Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.

GeneSiC Semiconductor recebeu vários subsídios SBIR e STTR do Departamento de Energia dos EUA

DULLES, VA, Outubro 23, 2007 — GeneSiC Semiconductor Inc., um inovador em rápido crescimento de alta temperatura, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo (SiC) dispositivos, anunciou que recebeu três concessões separadas para pequenas empresas do Departamento de Energia dos EUA durante o EF07. As concessões SBIR e STTR serão usadas por GeneSiC para demonstrar novos dispositivos SiC de alta tensão para uma variedade de armazenamento de energia, malha energética, aplicações físicas de alta temperatura e alta energia. As aplicações de armazenamento de energia e rede elétrica estão recebendo cada vez mais atenção à medida que o mundo se concentra em soluções de gerenciamento de energia mais eficientes e econômicas.

“Estamos satisfeitos com o nível de confiança expresso por vários escritórios do Departamento de Energia dos EUA em relação às nossas soluções de dispositivos de alta potência. A injeção deste financiamento em nossos programas de tecnologia avançada de SiC resultará em uma linha de dispositivos de SiC líder da indústria,” comentou o presidente da GeneSiC, Dr. Ranbir Singh. “Os dispositivos que estão sendo desenvolvidos nesses projetos prometem fornecer tecnologia capacitadora crítica para dar suporte a uma rede elétrica mais eficiente, e abrirá a porta para uma nova tecnologia de hardware comercial e militar que não foi realizada devido às limitações das tecnologias contemporâneas baseadas em silício.”

Os três projetos incluem:

  • Um novo prêmio SBIR Fase I focado em alta corrente, Dispositivos baseados em tiristores multi-kV voltados para aplicações de armazenamento de energia.
  • Um prêmio SBIR de Fase II para o desenvolvimento de dispositivos de energia multi-kV SiC para fontes de alimentação de alta tensão para aplicações de sistema de RF de alta potência concedido pelo DOE Office of Science.
  • Um prêmio STTR de Fase I focado em alta tensão opticamente controlada, dispositivos de energia SiC de alta frequência para ambientes ricos em interferência eletromagnética, incluindo sistemas de energia RF de alta potência, e sistemas de armas de energia dirigida.

Junto com os prêmios, GeneSiC transferiu recentemente as operações para um laboratório expandido e prédio de escritórios em Dulles, Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo, atualizando significativamente seu equipamento, infraestrutura e está em processo de adição de pessoal-chave adicional.

“GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes, apoiando isso com acesso a um amplo conjunto de fabricação, caracterização e instalações de teste,” concluiu Dr. Singh. “Acreditamos que essas capacidades foram efetivamente validadas pelo US DOE com esses novos prêmios.”

Informações adicionais sobre a empresa e seus produtos podem ser obtidas ligando para GeneSiC em 703-996-8200 ou visitando Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.