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5Diodos SiC Schottky MPS ™ da geração 650 V para a melhor eficiência da classe

Gen5 650V SiC Schottky MPS ™

DULLES, VA, Posso 28, 2021 — GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de carboneto de silício (SiC) dispositivos semicondutores de potência, anuncia a disponibilidade da 5ª geração (GE *** series) Retificadores SiC Schottky MPS ™ que estão estabelecendo uma nova referência com seu índice de preço-desempenho superior, Corrente de pico líder da indústria e robustez de avalanche, e fabricação de alta qualidade.

“GeneSiC foi um dos primeiros fabricantes de SiC a fornecer comercialmente retificadores Schottky SiC em 2011. Depois de mais de uma década fornecendo retificadores de SiC de alto desempenho e alta qualidade na indústria, estamos animados para lançar nossa 5ª geração de SiC Schottky MPS ™ (Merged-PiN-Schottky) diodos que oferecem desempenho líder da indústria em todos os aspectos para atender às metas de alta eficiência e densidade de energia em aplicações como fontes de alimentação de servidor / telecomunicações e carregadores de bateria. O recurso revolucionário que torna nossa 5ª geração (GE *** series) Diodos SiC Schottky MPS ™ se destacam entre seus pares é a baixa tensão embutida (também conhecido como tensão do joelho);permite menores perdas de condução de diodo em todas as condições de carga - crucial para aplicações que exigem o uso de energia de alta eficiência. Em contraste com outros diodos de SiC concorrentes, também projetados para oferecer características de joelho baixo, uma característica adicional de nossos projetos de diodo Gen5 é que eles ainda mantêm um alto nível de avalanche (UIL) robustez que nossos clientes esperam do Gen3 da GeneSiC (GC *** series) e Gen4 (GD *** series) SiC Schottky MPS ™” disse o Dr.. Siddarth Sundaresan, Vice-presidente de tecnologia da GeneSiC Semiconductor.

Características –

  • Baixa tensão embutida – Perdas de condução mais baixas para todas as condições de carga
  • Figura Superior de Mérito – QC x VF
  • Desempenho de preço ideal
  • Capacidade aprimorada de corrente de surto
  • 100% Avalanche (UIL) Testado
  • Baixa resistência térmica para operação mais fria
  • Recuperação Zero Forward e Reverse
  • Troca rápida independente de temperatura
  • Coeficiente de temperatura positivo de VF

Formulários –

  • Boost Diode in Power Factor Correction (PFC)
  • Fontes de alimentação de servidor e telecomunicações
  • Inversores Solares
  • Fontes de alimentação ininterrupta (UPS)
  • Carregadores de bateria
  • Freewheeling / Diodo antiparalelo em inversores

GE04MPS06E - 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06E - 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06E - 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06E - 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS ™

GE04MPS06A - 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE06MPS06A - 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE08MPS06A - 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE10MPS06A - 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE12MPS06A - 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS ™

GE2X8MPS06D - 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

GE2X10MPS06D - 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS ™

Todos os dispositivos estão disponíveis para compra através de distribuidores autorizados – www.genesicsemi.com/sales-support

Para folha de dados e outros recursos, Visita – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ ou contato sales@genesicsemi.com

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício, ao mesmo tempo que investiu em tecnologias de silício de alta potência. Os fabricantes líderes globais de sistemas industriais e de defesa dependem da tecnologia GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente, e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. Detemos patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia com gap amplo; um mercado projetado para atingir mais de $1 bilhões por 2022. Nossa principal competência é agregar mais valor aos nossos clientes’ produto final. Nosso desempenho e métricas de custo estão definindo padrões na indústria de carboneto de silício.

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GeneSiC ganha o prestigioso R&Prêmio D100 para chave retificadora-transistor monolítica baseada em SiC

DULLES, VA, dezembro 5, 2019 — R&D Magazine selecionou GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA como destinatário do prestigioso 2019 R&D 100 Prêmio para o desenvolvimento de chave retificadora-transistor monolítica baseada em SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, um dos principais inovadores nos dispositivos de energia à base de carboneto de silício foi homenageado com o anúncio de que recebeu o prestigioso 2019 R&D 100 Prêmio. Este prêmio reconhece GeneSiC por apresentar um dos mais importantes, avanços recentes de pesquisa e desenvolvimento entre várias disciplinas durante 2018. R&A D Magazine reconheceu a tecnologia de dispositivo de energia SiC de média tensão da GeneSiC por sua capacidade de integrar monoliticamente o MOSFET e o retificador Schottky em um único chip. Esses recursos alcançados pelo dispositivo GeneSiC permitem que os pesquisadores de eletrônica de potência desenvolvam sistemas eletrônicos de potência de última geração, como inversores e conversores DC-DC.. Isso permitirá o desenvolvimento de produtos em veículos elétricos, infraestrutura de carregamento, indústrias de energia renovável e armazenamento de energia. GeneSiC registrou pedidos de vários clientes para a demonstração de hardware de eletrônica de potência avançada usando esses dispositivos e continua a desenvolver sua família de produtos MOSFET de carboneto de silício. O R&D na versão inicial para aplicações de conversão de energia foram desenvolvidas através do Departamento dos EUA. de Energia e colaboração com Sandia National Laboratories.

A competição anual de tecnologia conduzida por R&A D Magazine avaliou entradas de várias empresas e participantes da indústria, organizações de pesquisa e universidades em todo o mundo. Os editores da revista e um painel de especialistas externos atuaram como juízes, avaliando cada entrada em termos de sua importância para o mundo da ciência e da pesquisa.

De acordo com R&D Magazine, ganhando um R&D 100 Prêmio fornece uma marca de excelência conhecida pela indústria, governo, e a academia como prova de que o produto é uma das ideias mais inovadoras do ano. Este prêmio reconhece GeneSiC como líder global na criação de produtos baseados em tecnologia que fazem a diferença em como trabalhamos e vivemos.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC é um inovador emergente rápido na área de dispositivos de energia SiC e tem um forte compromisso com o desenvolvimento de Carbeto de Silício (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desenvolve Carboneto de Silício (SiC) dispositivos semicondutores baseados em alta temperatura, radiação, e aplicações de rede elétrica. Isso inclui o desenvolvimento de retificadores, FETs, dispositivos bipolares, bem como partículas & detectores fotônicos. GeneSiC tem acesso a um amplo conjunto de design de semicondutores, fabricação, instalações de caracterização e teste para tais dispositivos. GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes. A empresa distingue-se por fornecer produtos de alta qualidade e especificamente ajustados às necessidades de cada cliente. GeneSiC tem contratos principais/subcontratados das principais agências governamentais dos EUA, incluindo ARPA-E, Departamento de Energia dos EUA, Marinha, DARPA, Departamento de Segurança Interna, Departamento de Comércio e outros departamentos dentro do Departamento dos EUA. de Defesa. GeneSiC continua a aprimorar rapidamente a infraestrutura de equipamentos e pessoal em sua Dulles, Instalação da Virgínia. A empresa está contratando agressivamente pessoal com experiência na fabricação de dispositivos semicondutores compostos, testes de semicondutores e projetos de detectores. Informações adicionais sobre a empresa e seus produtos podem ser obtidas ligando para GeneSiC em 703-996-8200 ou visitandoDispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.

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Capacidade de alta corrente 650V, 1200Diodos V e 1700V SiC Schottky MPS ™ no pacote mini-módulo SOT-227

DULLES, VA, Posso 11, 2019 — GeneSiC torna-se líder de mercado em capacidade de alta corrente (100 A e 200 UMA) Diodos Schottky SiC no minimódulo SOT-227

GeneSiC introduziu GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 e GC2X100MPS06-227; os diodos schottky SiC de 650 V e 1700 V de corrente mais alta da indústria, adicionando ao portfólio existente de mini-módulo de diodo Schottky 1200 V SiC - GB2X50MPS12-227 e GB2X100MPS12-227. Esses diodos de SiC substituem diodos de recuperação ultra-rápida à base de silício, permitindo que os engenheiros construam circuitos de comutação com maior eficiência e maior densidade de potência. Espera-se que os aplicativos incluam carregadores rápidos para veículos elétricos, acionamentos do motor, fontes de alimentação de transporte, retificação de alta potência e fontes de alimentação industrial.

Além da placa de base isolada do pacote do minimódulo SOT-227, esses diodos recém-lançados apresentam baixa queda de tensão direta, recuperação direta zero, recuperação reversa zero, baixa capacitância de junção e são avaliados para uma temperatura máxima de operação de 175 ° C. A terceira geração da tecnologia de diodo Schottky SiC da GeneSiC fornece robustez de avalanche líder da indústria e corrente de pico (Ifsm) robustez, combinado com fabricação de 6 polegadas qualificada automotiva de alta qualidade e tecnologia de montagem discreta avançada de alta confiabilidade.

Esses diodos SiC são substituições diretas compatíveis com pinos para outros diodos disponíveis no SOT-227 (mini-módulo) pacote. Beneficiando-se de suas perdas de energia mais baixas (operação mais fria) e capacidade de comutação de alta frequência, os designers agora podem alcançar uma maior eficiência de conversão e maior densidade de energia em projetos.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC é um inovador emergente rápido na área de dispositivos de energia SiC e tem um forte compromisso com o desenvolvimento de Carbeto de Silício (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desenvolve Carboneto de Silício (SiC) dispositivos semicondutores baseados em alta temperatura, radiação, e aplicações de rede elétrica. Isso inclui o desenvolvimento de retificadores, FETs, dispositivos bipolares, bem como partículas & detectores fotônicos. GeneSiC tem acesso a um amplo conjunto de design de semicondutores, fabricação, instalações de caracterização e teste para tais dispositivos. GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes. A empresa distingue-se por fornecer produtos de alta qualidade e especificamente ajustados às necessidades de cada cliente. GeneSiC tem contratos principais/subcontratados das principais agências governamentais dos EUA, incluindo ARPA-E, Departamento de Energia dos EUA, Marinha, DARPA, Departamento de Segurança Interna, Departamento de Comércio e outros departamentos dentro do Departamento dos EUA. de Defesa. GeneSiC continua a aprimorar rapidamente a infraestrutura de equipamentos e pessoal em sua Dulles, Instalação da Virgínia. A empresa está contratando agressivamente pessoal com experiência na fabricação de dispositivos semicondutores compostos, testes de semicondutores e projetos de detectores. Informações adicionais sobre a empresa e seus produtos podem ser obtidas ligando para GeneSiC em 703-996-8200 ou visitandowww.genesicsemi.com.

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GeneSiC lança 1700V SiC Schottky MPS de melhor desempenho da indústria™ diodos

DULLES, VA, Janeiro 7, 2019 — GeneSiC lança um portfólio abrangente de sua terceira geração de diodos SiC Schottky MPS ™ 1700V no pacote TO-247-2

GeneSiC introduziu GB05MPS17-247, Transporte, GB25MPS17-247 e GB50MPS17-247; os diodos de SiC de 1700 V com melhor desempenho da indústria disponíveis no popular pacote de orifício TO-247-2. Esses diodos de SiC de 1700 V substituem diodos de recuperação ultra-rápida à base de silício e outros diodos de SiC de 1700 V da geração anterior JBS, permitindo que os engenheiros construam circuitos de comutação com maior eficiência e maior densidade de potência. Espera-se que os aplicativos incluam carregadores rápidos para veículos elétricos, acionamentos do motor, fontes de alimentação de transporte e energia renovável.

GB50MPS17-247 é um diodo 1700V 50A SiC mesclado-PiN-schottky, o diodo de energia de SiC discreto com maior corrente nominal da indústria. Esses diodos recém-lançados apresentam baixa queda de tensão direta, recuperação direta zero, recuperação reversa zero, baixa capacitância de junção e são avaliados para uma temperatura máxima de operação de 175 ° C. A terceira geração da tecnologia de diodo Schottky SiC da GeneSiC fornece robustez de avalanche líder da indústria e corrente de pico (Ifsm) robustez, combinada com fundição de 6 polegadas qualificada automotiva de alta qualidade e tecnologia de montagem discreta avançada de alta confiabilidade.

Esses diodos SiC são substituições diretas compatíveis com pinos para outros diodos disponíveis no pacote TO-247-2. Beneficiando-se de suas perdas de energia mais baixas (operação mais fria) e capacidade de comutação de alta frequência, os designers agora podem alcançar uma maior eficiência de conversão e maior densidade de energia em projetos.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC é um inovador emergente rápido na área de dispositivos de energia SiC e tem um forte compromisso com o desenvolvimento de Carbeto de Silício (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desenvolve Carboneto de Silício (SiC) dispositivos semicondutores baseados em alta temperatura, radiação, e aplicações de rede elétrica. Isso inclui o desenvolvimento de retificadores, FETs, dispositivos bipolares, bem como partículas & detectores fotônicos. GeneSiC tem acesso a um amplo conjunto de design de semicondutores, fabricação, instalações de caracterização e teste para tais dispositivos. GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes. A empresa distingue-se por fornecer produtos de alta qualidade e especificamente ajustados às necessidades de cada cliente. GeneSiC tem contratos principais/subcontratados das principais agências governamentais dos EUA, incluindo ARPA-E, Departamento de Energia dos EUA, Marinha, DARPA, Departamento de Segurança Interna, Departamento de Comércio e outros departamentos dentro do Departamento dos EUA. de Defesa. GeneSiC continua a aprimorar rapidamente a infraestrutura de equipamentos e pessoal em sua Dulles, Instalação da Virgínia. A empresa está contratando agressivamente pessoal com experiência na fabricação de dispositivos semicondutores compostos, testes de semicondutores e projetos de detectores. Informações adicionais sobre a empresa e seus produtos podem ser obtidas ligando para GeneSiC em 703-996-8200 ou visitandowww.genesicsemi.com.