DULLES, VA, Outubro 20, 2020 — A GeneSiC lança MOSFETs de carboneto de silício de 6,5 kV para liderar na entrega de níveis de desempenho sem precedentes, eficiência e confiabilidade em aplicações de conversão de energia de média tensão, como tração, energia pulsada e infraestrutura de rede inteligente.
GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência, anuncia hoje a disponibilidade imediata de chips nus SiC MOSFET de 6,5 kV - G2R300MT65-CAL e G2R325MS65-CAL. Módulos SiC completos que utilizam esta tecnologia serão lançados em breve. Os aplicativos devem incluir tração, poder pulsado, infraestrutura de rede inteligente e outros conversores de energia de média tensão.
G2R300MT65-CAL - Chip Bare MOSFET 6,5kV 300mΩ G2R ™ SiC
G2R325MS65-CAL - MOSFET de 6,5kV 325mΩ G2R ™ SiC (com Integrated-Schottky) Chip Bare
G2R100MT65-CAL - Chip Bare do MOSFET de 6,5 kV 100mΩ G2R ™ SiC
A inovação da GeneSiC apresenta um semicondutor de óxido de metal com implantação dupla de SiC (DMOSFET) estrutura do dispositivo com uma barreira de junção schottky (JBS) retificador integrado na célula unitária SiC DMOSFET. Este dispositivo de energia de ponta pode ser usado em uma variedade de circuitos de conversão de energia na próxima geração de sistemas de conversão de energia. Outras vantagens significativas incluem desempenho bidirecional mais eficiente, comutação independente de temperatura, baixas perdas de comutação e condução, requisitos de resfriamento reduzidos, confiabilidade superior de longo prazo, facilidade de dispositivos paralelos e benefícios de custo. A tecnologia GeneSiC oferece desempenho superior e também tem o potencial de reduzir a pegada de material de SiC líquido em conversores de energia.
“Os MOSFETs de SiC de 6,5 kV do GeneSiC são projetados e fabricados em wafers de 6 polegadas para obter baixa resistência no estado, mais alta qualidade, e índice de desempenho de preço superior. Esta tecnologia de MOSFETs de última geração promete desempenho exemplar, robustez superior e confiabilidade de longo prazo em aplicações de conversão de energia de média tensão.” disse Dr. Siddarth Sundaresan, VP de tecnologia da GeneSiC Semiconductor.
Recursos da tecnologia MOSFET de 6.5kV G2R ™ SiC do GeneSiC –
- Alta avalanche (UIS) e robustez de curto-circuito
- Superior QG x RDS(EM) Figura de mérito
- Perdas de comutação independentes de temperatura
- Capacitâncias baixas e carga de porta baixa
- Baixas perdas em todas as temperaturas
- Operação normalmente desligada estável até 175 ° C
- +20 V / -5 V gate drive
Para folha de dados e outros recursos, Visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip ou contato sales@genesicsemi.com
Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício, ao mesmo tempo que investiu em tecnologias de silício de alta potência. Os fabricantes líderes globais de sistemas industriais e de defesa dependem da tecnologia GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente, e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. Detemos patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia com gap amplo; um mercado projetado para atingir mais de $1 bilhões por 2022. Nossa principal competência é agregar mais valor aos nossos clientes’ produto final. Nosso desempenho e métricas de custo estão definindo padrões na indústria de carboneto de silício.
