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MOSFETs de SiC de 6,5 kV líderes da indústria da GeneSiC – a vanguarda para uma nova onda de aplicativos

6.5MOSFETs kV SiC

DULLES, VA, Outubro 20, 2020 — A GeneSiC lança MOSFETs de carboneto de silício de 6,5 kV para liderar na entrega de níveis de desempenho sem precedentes, eficiência e confiabilidade em aplicações de conversão de energia de média tensão, como tração, energia pulsada e infraestrutura de rede inteligente.

GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de uma ampla gama de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência, anuncia hoje a disponibilidade imediata de chips nus SiC MOSFET de 6,5 kV - G2R300MT65-CAL e G2R325MS65-CAL. Módulos SiC completos que utilizam esta tecnologia serão lançados em breve. Os aplicativos devem incluir tração, poder pulsado, infraestrutura de rede inteligente e outros conversores de energia de média tensão.

G2R300MT65-CAL - Chip Bare MOSFET 6,5kV 300mΩ G2R ™ SiC

G2R325MS65-CAL - MOSFET de 6,5kV 325mΩ G2R ™ SiC (com Integrated-Schottky) Chip Bare

G2R100MT65-CAL - Chip Bare do MOSFET de 6,5 kV 100mΩ G2R ™ SiC

A inovação da GeneSiC apresenta um semicondutor de óxido de metal com implantação dupla de SiC (DMOSFET) estrutura do dispositivo com uma barreira de junção schottky (JBS) retificador integrado na célula unitária SiC DMOSFET. Este dispositivo de energia de ponta pode ser usado em uma variedade de circuitos de conversão de energia na próxima geração de sistemas de conversão de energia. Outras vantagens significativas incluem desempenho bidirecional mais eficiente, comutação independente de temperatura, baixas perdas de comutação e condução, requisitos de resfriamento reduzidos, confiabilidade superior de longo prazo, facilidade de dispositivos paralelos e benefícios de custo. A tecnologia GeneSiC oferece desempenho superior e também tem o potencial de reduzir a pegada de material de SiC líquido em conversores de energia.

“Os MOSFETs de SiC de 6,5 kV do GeneSiC são projetados e fabricados em wafers de 6 polegadas para obter baixa resistência no estado, mais alta qualidade, e índice de desempenho de preço superior. Esta tecnologia de MOSFETs de última geração promete desempenho exemplar, robustez superior e confiabilidade de longo prazo em aplicações de conversão de energia de média tensão.” disse Dr. Siddarth Sundaresan, VP de tecnologia da GeneSiC Semiconductor.

Recursos da tecnologia MOSFET de 6.5kV G2R ™ SiC do GeneSiC –

  • Alta avalanche (UIS) e robustez de curto-circuito
  • Superior QG x RDS(EM) Figura de mérito
  • Perdas de comutação independentes de temperatura
  • Capacitâncias baixas e carga de porta baixa
  • Baixas perdas em todas as temperaturas
  • Operação normalmente desligada estável até 175 ° C
  • +20 V / -5 V gate drive

Para folha de dados e outros recursos, Visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip ou contato sales@genesicsemi.com

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício, ao mesmo tempo que investiu em tecnologias de silício de alta potência. Os fabricantes líderes globais de sistemas industriais e de defesa dependem da tecnologia GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente, e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. Detemos patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia com gap amplo; um mercado projetado para atingir mais de $1 bilhões por 2022. Nossa principal competência é agregar mais valor aos nossos clientes’ produto final. Nosso desempenho e métricas de custo estão definindo padrões na indústria de carboneto de silício.

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GeneSiC ganha o prestigioso R&Prêmio D100 para chave retificadora-transistor monolítica baseada em SiC

DULLES, VA, dezembro 5, 2019 — R&D Magazine selecionou GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA como destinatário do prestigioso 2019 R&D 100 Prêmio para o desenvolvimento de chave retificadora-transistor monolítica baseada em SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, um dos principais inovadores nos dispositivos de energia à base de carboneto de silício foi homenageado com o anúncio de que recebeu o prestigioso 2019 R&D 100 Prêmio. Este prêmio reconhece GeneSiC por apresentar um dos mais importantes, avanços recentes de pesquisa e desenvolvimento entre várias disciplinas durante 2018. R&A D Magazine reconheceu a tecnologia de dispositivo de energia SiC de média tensão da GeneSiC por sua capacidade de integrar monoliticamente o MOSFET e o retificador Schottky em um único chip. Esses recursos alcançados pelo dispositivo GeneSiC permitem que os pesquisadores de eletrônica de potência desenvolvam sistemas eletrônicos de potência de última geração, como inversores e conversores DC-DC.. Isso permitirá o desenvolvimento de produtos em veículos elétricos, infraestrutura de carregamento, indústrias de energia renovável e armazenamento de energia. GeneSiC registrou pedidos de vários clientes para a demonstração de hardware de eletrônica de potência avançada usando esses dispositivos e continua a desenvolver sua família de produtos MOSFET de carboneto de silício. O R&D na versão inicial para aplicações de conversão de energia foram desenvolvidas através do Departamento dos EUA. de Energia e colaboração com Sandia National Laboratories.

A competição anual de tecnologia conduzida por R&A D Magazine avaliou entradas de várias empresas e participantes da indústria, organizações de pesquisa e universidades em todo o mundo. Os editores da revista e um painel de especialistas externos atuaram como juízes, avaliando cada entrada em termos de sua importância para o mundo da ciência e da pesquisa.

De acordo com R&D Magazine, ganhando um R&D 100 Prêmio fornece uma marca de excelência conhecida pela indústria, governo, e a academia como prova de que o produto é uma das ideias mais inovadoras do ano. Este prêmio reconhece GeneSiC como líder global na criação de produtos baseados em tecnologia que fazem a diferença em como trabalhamos e vivemos.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC é um inovador emergente rápido na área de dispositivos de energia SiC e tem um forte compromisso com o desenvolvimento de Carbeto de Silício (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desenvolve Carboneto de Silício (SiC) dispositivos semicondutores baseados em alta temperatura, radiação, e aplicações de rede elétrica. Isso inclui o desenvolvimento de retificadores, FETs, dispositivos bipolares, bem como partículas & detectores fotônicos. GeneSiC tem acesso a um amplo conjunto de design de semicondutores, fabricação, instalações de caracterização e teste para tais dispositivos. GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes. A empresa distingue-se por fornecer produtos de alta qualidade e especificamente ajustados às necessidades de cada cliente. GeneSiC tem contratos principais/subcontratados das principais agências governamentais dos EUA, incluindo ARPA-E, Departamento de Energia dos EUA, Marinha, DARPA, Departamento de Segurança Interna, Departamento de Comércio e outros departamentos dentro do Departamento dos EUA. de Defesa. GeneSiC continua a aprimorar rapidamente a infraestrutura de equipamentos e pessoal em sua Dulles, Instalação da Virgínia. A empresa está contratando agressivamente pessoal com experiência na fabricação de dispositivos semicondutores compostos, testes de semicondutores e projetos de detectores. Informações adicionais sobre a empresa e seus produtos podem ser obtidas ligando para GeneSiC em 703-996-8200 ou visitandoDispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.