DULLES, VA, dezembro 4, 2020 — GeneSiC anuncia a disponibilidade de MOSFETs SiC discretos de 3300V e 1700V líderes da indústria que são otimizados para alcançar miniaturização incomparável, confiabilidade e economia de energia em energia de limpeza industrial.
GeneSiC Semiconductor, um fornecedor pioneiro e global de um portfólio abrangente de carboneto de silício (SiC) semicondutores de potência, anuncia hoje a disponibilidade imediata de MOSFETs SiC de 3300V e 1700V 1000mΩ de próxima geração - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, e G2R1000MT33J. Esses MOSFETs SiC permitem níveis de desempenho superiores, com base nas principais figuras de mérito (FoM) que melhoram e simplificam os sistemas de energia no armazenamento de energia, energia renovável, motores industriais, inversores de uso geral e iluminação industrial. Produtos lançados são:
G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET
G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 SiC MOSFET
G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET
G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 SiC MOSFET
G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET
Novos MOSFETs 3300V e 1700V SiC da GeneSiC, disponível em opções de 1000mΩ e 450mΩ como pacotes discretos SMD e Through-Hole, são altamente otimizados para projetos de sistemas de energia que requerem níveis de eficiência elevados e velocidades de comutação ultra-rápidas. Esses dispositivos têm níveis de desempenho substancialmente melhores em comparação com produtos concorrentes. Uma qualidade garantida, apoiado por manufatura de alto volume de resposta rápida, aumenta ainda mais sua proposta de valor.
“Em aplicações como inversores solares de 1500V, o MOSFET na fonte de alimentação auxiliar pode ter que suportar tensões na faixa de 2500V, dependendo da tensão de entrada, relação de voltas do transformador e a tensão de saída. MOSFETs de alta tensão de ruptura eliminam a necessidade de interruptores conectados em série no Flyback, Conversores Boost e Forward, reduzindo assim a contagem de peças e reduzindo a complexidade do circuito. Os MOSFETs SiC discretos 3300V e 1700V da GeneSiC permitem que os designers usem uma topologia mais simples baseada em switch único e, ao mesmo tempo, forneçam aos clientes, sistema compacto e de baixo custo” disse Sumit Jadav, Gerente de Aplicativos Sênior na GeneSiC Semiconductor.
Características –
- Índice superior de preço-desempenho
- Flagship QG x RDS(EM) Figura de mérito
- Baixa capacitância intrínseca e baixa carga de porta
- Baixas perdas em todas as temperaturas
- Alta avalanche e robustez de curto-circuito
- Tensão limite de referência para operação estável normalmente desligada até 175 ° C
Formulários –
- Energia renovável (inversores solares) e armazenamento de energia
- Motores industriais (e vínculo)
- Inversores de uso geral
- Iluminação industrial
- Drivers piezo
- Geradores de feixe de íons
Todos os dispositivos estão disponíveis para compra através de distribuidores autorizados – www.genesicsemi.com/sales-support
Para folha de dados e outros recursos, Visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet ou contato sales@genesicsemi.com
Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício, ao mesmo tempo que investiu em tecnologias de silício de alta potência. Os fabricantes líderes globais de sistemas industriais e de defesa dependem da tecnologia GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente, e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. Detemos patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia com gap amplo; um mercado projetado para atingir mais de $1 bilhões por 2022. Nossa principal competência é agregar mais valor aos nossos clientes’ produto final. Nosso desempenho e métricas de custo estão definindo padrões na indústria de carboneto de silício.
