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Novos MOSFETs SiC de 3ª geração da GeneSiC apresentando as melhores figuras de mérito da indústria

DULLES, VA, Fevereiro 12, 2020 — MOSFETs de próxima geração 1200V G3R ™ SiC da GeneSiC Semiconductor com RDS(EM) níveis que variam de 20 mΩ para 350 mΩ entregar níveis de desempenho sem precedentes, robustez e qualidade que supera suas contrapartes. Os benefícios do sistema incluem maior eficiência, frequência de comutação mais rápida, densidade de potência aumentada, toque reduzido (EMI) e tamanho compacto do sistema.

GeneSiC anuncia a disponibilidade de seus MOSFETs de carboneto de silício de 3ª geração líderes da indústria, que apresentam desempenho líder da indústria, robustez e qualidade para aproveitar níveis nunca antes vistos de eficiência e confiabilidade do sistema em aplicações automotivas e industriais.

Estes MOSFETs G3R ™ SiC, oferecido em pacotes discretos de baixa indutância otimizados (SMD e orifício de passagem), são altamente otimizados para projetos de sistemas de energia que requerem níveis de eficiência elevados e velocidades de comutação ultra-rápidas. Esses dispositivos têm níveis de desempenho substancialmente melhores em comparação com produtos concorrentes. Uma qualidade garantida, apoiado por manufatura de alto volume de resposta rápida aumenta ainda mais sua proposta de valor.

“Após anos de trabalho de desenvolvimento para alcançar a menor resistência no estado e desempenho aprimorado de curto-circuito, estamos entusiasmados em lançar os MOSFETs SiC 1200V de melhor desempenho da indústria com mais de 15+ produtos de chip discreto e simples. Se os sistemas eletrônicos de potência de próxima geração devem atender à eficiência desafiadora, densidade de potência e objetivos de qualidade em aplicações como automotiva, industrial, energia renovável, transporte, TI e telecomunicações, então, eles exigem desempenho e confiabilidade do dispositivo significativamente melhorados em comparação com os SiC MOSFETs disponíveis atualmente” disse o Dr.. Ranbir Singh, Presidente da GeneSiC Semiconductor.

Características –

  • Superior QG x RDS(EM) Figura de mérito – Os MOSFETs G3R ™ SiC apresentam a menor resistência no estado da indústria com uma carga de porta muito baixa, resultando em 20% melhor figura de mérito do que qualquer outro dispositivo concorrente semelhante
  • Baixas perdas de condução em todas as temperaturas – Os MOSFETs do GeneSiC apresentam a dependência de temperatura mais suave da resistência no estado para oferecer perdas de condução muito baixas em todas as temperaturas; significativamente melhor do que qualquer outra vala e SiC MOSFETs planares do mercado
  • 100 % avalanche testada – A capacidade robusta de UIL é um requisito crítico para a maioria das aplicações de campo. GeneSiC 1200V SiC MOSFET discretos são 100 % avalanche (UIL) testado durante a produção
  • Carga de porta baixa e baixa resistência de porta interna – Esses parâmetros são essenciais para realizar a comutação ultrarrápida e alcançar as mais altas eficiências (Eon baixo -Eoff) em uma ampla gama de frequências de comutação de aplicativos
  • Operação normalmente desligada estável até 175 ° C – Todos os SiC MOSFETs da GeneSiC são projetados e fabricados com processos de última geração para fornecer produtos estáveis ​​e confiáveis ​​em todas as condições operacionais, sem qualquer risco de mau funcionamento. A qualidade superior do óxido de porta desses dispositivos evita qualquer limite (Vº) deriva
  • Capacitâncias baixas do dispositivo – G3R ™ são projetados para conduzir mais rápido e mais eficiente com suas baixas capacitâncias de dispositivo - Ciss, Coss e Crss
  • Diodo corporal rápido e confiável com baixa carga intrínseca – Os MOSFETs do GeneSiC apresentam baixa carga de recuperação reversa de referência (QRR) em todas as temperaturas; 30% melhor do que qualquer dispositivo concorrente com classificação semelhante. Isso oferece mais redução nas perdas de energia e aumenta as frequências de operação
  • Fácil de usar – Os MOSFETs G3R ™ SiC são projetados para serem acionados a + 15V / -5V gate drive. Isso oferece a mais ampla compatibilidade com os drivers de gate IGBT e SiC MOSFET comerciais existentes

Formulários –

  • Veículo elétrico – Trem de força e carregamento
  • Inversor solar e armazenamento de energia
  • Unidade de motor industrial
  • Fonte de energia ininterrupta (UPS)
  • Fonte de alimentação comutada (SMPS)
  • Conversores bidirecionais DC-DC
  • Smart Grid e HVDC
  • Aquecimento por indução e soldagem
  • Aplicação de energia pulsada

Todos os dispositivos estão disponíveis para compra através de distribuidores autorizados – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Electronics

Elemento Newark Farnell 14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

Para folha de dados e outros recursos, Visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet ou contato sales@genesicsemi.com

Todos os SiC MOSFETs da GeneSiC Semiconductor são direcionados para aplicações automotivas (AEC-q101) e capaz de PPAP. Todos os dispositivos são oferecidos no padrão da indústria D2PAK, Pacotes TO-247 e SOT-227.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor é pioneira e líder mundial em tecnologia de carboneto de silício, ao mesmo tempo que investiu em tecnologias de silício de alta potência. Os fabricantes líderes globais de sistemas industriais e de defesa dependem da tecnologia GeneSiC para elevar o desempenho e a eficiência de seus produtos. Os componentes eletrônicos do GeneSiC funcionam mais frios, Mais rápido, e mais economicamente, e desempenham um papel fundamental na conservação de energia em uma ampla gama de sistemas de alta potência. Detemos patentes líderes em tecnologias de dispositivos de energia com gap amplo; um mercado projetado para atingir mais de $1 bilhões por 2022. Nossa principal competência é agregar mais valor aos nossos clientes’ produto final. Nosso desempenho e métricas de custo estão definindo padrões na indústria de carboneto de silício.

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GeneSiC ganha o prestigioso R&Prêmio D100 para chave retificadora-transistor monolítica baseada em SiC

DULLES, VA, dezembro 5, 2019 — R&D Magazine selecionou GeneSiC Semiconductor Inc. de Dulles, VA como destinatário do prestigioso 2019 R&D 100 Prêmio para o desenvolvimento de chave retificadora-transistor monolítica baseada em SiC.

GeneSiC Semiconductor Inc, um dos principais inovadores nos dispositivos de energia à base de carboneto de silício foi homenageado com o anúncio de que recebeu o prestigioso 2019 R&D 100 Prêmio. Este prêmio reconhece GeneSiC por apresentar um dos mais importantes, avanços recentes de pesquisa e desenvolvimento entre várias disciplinas durante 2018. R&A D Magazine reconheceu a tecnologia de dispositivo de energia SiC de média tensão da GeneSiC por sua capacidade de integrar monoliticamente o MOSFET e o retificador Schottky em um único chip. Esses recursos alcançados pelo dispositivo GeneSiC permitem que os pesquisadores de eletrônica de potência desenvolvam sistemas eletrônicos de potência de última geração, como inversores e conversores DC-DC.. Isso permitirá o desenvolvimento de produtos em veículos elétricos, infraestrutura de carregamento, indústrias de energia renovável e armazenamento de energia. GeneSiC registrou pedidos de vários clientes para a demonstração de hardware de eletrônica de potência avançada usando esses dispositivos e continua a desenvolver sua família de produtos MOSFET de carboneto de silício. O R&D na versão inicial para aplicações de conversão de energia foram desenvolvidas através do Departamento dos EUA. de Energia e colaboração com Sandia National Laboratories.

A competição anual de tecnologia conduzida por R&A D Magazine avaliou entradas de várias empresas e participantes da indústria, organizações de pesquisa e universidades em todo o mundo. Os editores da revista e um painel de especialistas externos atuaram como juízes, avaliando cada entrada em termos de sua importância para o mundo da ciência e da pesquisa.

De acordo com R&D Magazine, ganhando um R&D 100 Prêmio fornece uma marca de excelência conhecida pela indústria, governo, e a academia como prova de que o produto é uma das ideias mais inovadoras do ano. Este prêmio reconhece GeneSiC como líder global na criação de produtos baseados em tecnologia que fazem a diferença em como trabalhamos e vivemos.

Sobre o GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC é um inovador emergente rápido na área de dispositivos de energia SiC e tem um forte compromisso com o desenvolvimento de Carbeto de Silício (SiC) dispositivos baseados em: (uma) Dispositivos HV-HF SiC para Rede Elétrica, Poder pulsado e armas de energia dirigida; e (b) Dispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo. GeneSiC Semiconductor Inc. desenvolve Carboneto de Silício (SiC) dispositivos semicondutores baseados em alta temperatura, radiação, e aplicações de rede elétrica. Isso inclui o desenvolvimento de retificadores, FETs, dispositivos bipolares, bem como partículas & detectores fotônicos. GeneSiC tem acesso a um amplo conjunto de design de semicondutores, fabricação, instalações de caracterização e teste para tais dispositivos. GeneSiC capitaliza sua competência central em projeto de dispositivos e processos para desenvolver os melhores dispositivos SiC possíveis para seus clientes. A empresa distingue-se por fornecer produtos de alta qualidade e especificamente ajustados às necessidades de cada cliente. GeneSiC tem contratos principais/subcontratados das principais agências governamentais dos EUA, incluindo ARPA-E, Departamento de Energia dos EUA, Marinha, DARPA, Departamento de Segurança Interna, Departamento de Comércio e outros departamentos dentro do Departamento dos EUA. de Defesa. GeneSiC continua a aprimorar rapidamente a infraestrutura de equipamentos e pessoal em sua Dulles, Instalação da Virgínia. A empresa está contratando agressivamente pessoal com experiência na fabricação de dispositivos semicondutores compostos, testes de semicondutores e projetos de detectores. Informações adicionais sobre a empresa e seus produtos podem ser obtidas ligando para GeneSiC em 703-996-8200 ou visitandoDispositivos de energia SiC de alta temperatura para atuadores de aeronaves e exploração de petróleo.