Transistores de junção “Super” SiC com ultra-rápido (< 15 ns) Capacidade de comutação
Caracterização da estabilidade de ganho de corrente e operação em modo avalanche de BJTs 4H-SiC
10 kV SiC BJTs - estático, características de comutação e confiabilidade
Transistores de junção de SiC de maturação rápida com ganho de corrente (b) > 130, Bloqueio de tensões até 2700 V e operação estável de longo prazo
Transistores de junção de carboneto de silício e retificadores Schottky otimizados para operação a 250 ° C
Características estáticas e de comutação de 1200 Transistores de junção V SiC com retificadores Schottky integrados no chip
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Placa de comutação de pulso duplo
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