Wysłany dnia

Tyrystor SiC

ĆWICZENIA, VA, Tyrystor SiC 30, 2011 - Nowa fizyka pozwala tyrystorom osiągnąć wyższy poziom

Tyrystor SiC, Tyrystor SiC. Tyrystor SiC, Tyrystor SiC, Tyrystor SiC. Tyrystor SiC (SiC) Tyrystor SiC, Tyrystor SiC, Tyrystor SiC, Tyrystor SiC. Tyrystor SiC (Tyrystor SiC), Tyrystor SiC, Tępy, Tyrystor SiC, Tyrystor SiC, Tyrystor SiC, Tyrystor SiC, Tyrystor SiC. Tyrystor SiC, Tyrystor SiC. Badania nad armią/uzbrojeniem, Centrum Rozwoju i Inżynierii, Picatinny Arsenał, NJ.

Twórcy przyjęli inną fizykę działania tego urządzenia, który działa na zasadzie transportu nośników mniejszościowych i zintegrowanego prostownika terminala trzeciego, czyli o jedno więcej niż inne komercyjne urządzenia SiC. Deweloperzy przyjęli nową technikę wytwarzania, która obsługuje powyższe oceny 6,500 V, a także nowa konstrukcja bramowo-anodowa dla urządzeń wysokoprądowych. Zdolne do pracy w temperaturach do 300 C i prąd w 80 ZA, Tyrystor SiC oferuje do 10 razy wyższe napięcie, czterokrotnie wyższe napięcia blokujące, i 100 razy szybsza częstotliwość przełączania niż tyrystory na bazie krzemu.

Wysłany dnia

GeneSiC zdobywa prestiżową nagrodę R&Nagroda D100 dla urządzeń SiC w zastosowaniach związanych z energią słoneczną i wiatrową podłączonych do sieci

ĆWICZENIA, VA, lipiec 14, 2011 — r&Magazyn D wybrał firmę GeneSiC Semiconductor Inc.. z Dulles, VA jako odbiorca prestiżowego 2011 r&re 100 Nagroda za komercjalizację urządzeń z węglika krzemu o wysokich napięciach znamionowych.

GeneSiC Semiconductor Inc, kluczowy innowator w urządzeniach zasilających opartych na węgliku krzemu został uhonorowany w zeszłym tygodniu ogłoszeniem, że otrzymał prestiżową 2011 r&re 100 Nagroda. Ta nagroda jest uznaniem dla GeneSiC za wprowadzenie jednego z najważniejszych, nowo wprowadzone postępy w dziedzinie badań i rozwoju w wielu dyscyplinach w trakcie 2010. r&Magazyn D docenił ultra-wysokonapięciowy tyrystor SiC firmy GeneSiC za jego zdolność do osiągania blokujących napięć i częstotliwości, których nigdy wcześniej nie wykorzystywano w demonstracjach energoelektroniki. Wartości napięcia >6.5kV, aktualna ocena w stanie włączenia 80 A i częstotliwości robocze >5 kHz są znacznie wyższe niż te wcześniej wprowadzone na rynku. Te możliwości osiągnięte przez tyrystory GeneSiC krytycznie umożliwiają badaczom energoelektroniki opracowywanie inwerterów podłączonych do sieci, Elastyczne

Systemy transmisji prądu przemiennego (FAKTY) i wysokonapięciowe systemy DC (HVDC). Pozwoli to na nowe wynalazki i rozwój produktów w ramach energii odnawialnej, falowniki słoneczne, falowniki wiatrowe,, i sektorach magazynowania energii. dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC Semiconductor skomentował: „Oczekuje się, że rynki na dużą skalę półprzewodnikowych podstacji elektrycznych i generatorów turbin wiatrowych otworzą się po tym, jak naukowcy zajmujący się konwersją mocy w pełni zdadzą sobie sprawę z zalet tyrystorów SiC. Te tyrystory SiC pierwszej generacji wykorzystują najniższy zademonstrowany spadek napięcia w stanie i rezystancję różnicową, jaką kiedykolwiek osiągnięto w tyrystorach SiC. Zamierzamy wypuścić przyszłe generacje tyrystorów SiC zoptymalizowanych pod kątem możliwości wyłączania sterowanego bramką i możliwości zasilania impulsowego oraz >10Oceny kV. Ponieważ nadal opracowujemy rozwiązania w zakresie pakowania w wysokich temperaturach i ultrawysokich napięciach, obecne tyrystory 6,5 kV są pakowane w moduły z całkowicie lutowanymi stykami, ograniczone do temperatur złącza 150oC. ” Ponieważ ten produkt został wprowadzony na rynek w październiku 2010, GeneSiC zarezerwował zamówienia od wielu klientów na demonstrację zaawansowanego sprzętu energoelektronicznego wykorzystującego tyrystory z węglika krzemu. GeneSiC kontynuuje rozwój swojej rodziny produktów tyrystorowych z węglika krzemu. R&D we wczesnej wersji do zastosowań związanych z konwersją mocy zostały opracowane dzięki wsparciu finansowemu SBIR z Departamentu USA. energii. Bardziej zaawansowany, Tyrystory SiC zoptymalizowane pod kątem mocy impulsowej są opracowywane w ramach innego kontraktu SBIR z ARDEC, Armia Stanów Zjednoczonych. Korzystanie z tych osiągnięć technicznych, inwestycje wewnętrzne od GeneSiC i zamówienia komercyjne od wielu klientów, Firma GeneSiC była w stanie zaoferować te tyrystory UHV jako produkty komercyjne.

49. coroczny konkurs technologiczny prowadzony przez R.&Magazyn D oceniał wpisy różnych firm i graczy branżowych, organizacje badawcze i uniwersytety na całym świecie. Sędziami byli redaktorzy magazynu i panel ekspertów zewnętrznych, ocena każdego wpisu pod kątem jego znaczenia dla świata nauki i badań.

Według R.&Magazyn D., zdobywając R&re 100 Nagroda jest znakiem doskonałości znanym w branży, rząd, i środowiska akademickiego jako dowód na to, że produkt jest jednym z najbardziej innowacyjnych pomysłów roku. Ta nagroda jest uznaniem GeneSiC jako światowego lidera w tworzeniu produktów opartych na technologii, które zmieniają sposób, w jaki pracujemy i żyjemy.

Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.

GeneSiC jest szybko wschodzącym innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest silnie zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń impulsowa i broń skierowana energia; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej. GeneSiC Semiconductor Inc. rozwija węglik krzemu (SiC) oparte na urządzeniach półprzewodnikowych do wysokich temperatur, promieniowanie, i zastosowania w sieciach energetycznych. Obejmuje to rozwój prostowników, FET, urządzenia bipolarne, a także cząstki & detektory fotoniczne. GeneSiC ma dostęp do obszernego pakietu projektów półprzewodników, produkcja, zaplecze do charakteryzacji i testowania takich urządzeń. GeneSiC wykorzystuje swoją podstawową kompetencję w projektowaniu urządzeń i procesów, aby opracować najlepsze możliwe urządzenia SiC dla swoich klientów. Firma wyróżnia się dostarczaniem wysokiej jakości produktów, które są specjalnie dostosowane do wymagań każdego klienta. GeneSiC ma umowy typu prime/sub-contract od głównych agencji rządowych USA, w tym ARPA-E, Departament Energii USA, Marynarka wojenna, DARPA, Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego, Departament Handlu i inne departamenty Departamentu USA. Obrony. GeneSiC nadal szybko ulepsza infrastrukturę sprzętową i kadrową w firmie Dulles, Obiekt w Wirginii. Firma agresywnie zatrudnia personel doświadczony w produkcji złożonych urządzeń półprzewodnikowych, testowanie półprzewodników i projekty detektorów,. Dodatkowe informacje o firmie i jej produktach można uzyskać dzwoniąc do GeneSiC pod numer 703-996-8200 lub odwiedzającwww.genesicsemi.com.

Wysłany dnia

Multi-kHz, Tyrystory z ultrawysokiego napięcia z węglika krzemu pobrane dla naukowców z USA

ĆWICZENIA, VA, listopad 1, 2010 –To pierwsza w swoim rodzaju oferta, GeneSiC Semiconductor ogłasza dostępność rodziny tyrystorów z węglika krzemu 6,5 kV w trybie SCR do stosowania w energoelektronice w zastosowaniach Smart Grid. Oczekuje się, że rewolucyjne zalety wydajności tych urządzeń zasilających pobudzą kluczowe innowacje w sprzęcie energoelektronicznym na skalę użyteczną w celu zwiększenia dostępności i wykorzystania rozproszonych zasobów energii. (THE). "Do teraz, Węglik krzemu multi-kV (SiC) Urządzenia zasilające nie były otwarcie dostępne dla amerykańskich naukowców, aby w pełni wykorzystać dobrze znane zalety - a mianowicie częstotliwości robocze 2-10 kHz przy wartościach znamionowych 5-15 kV - urządzeń zasilających opartych na SiC ”. skomentował dr. Ranbir Singh, Prezes GeneSiC. „Firma GeneSiC niedawno zakończyła dostawę wielu 6,5 kV / 40 A, 6.5Tyrystory kV / 60A i 6,5kV / 80A dla wielu klientów prowadzących badania nad energią odnawialną, Zastosowania systemów zasilania armii i marynarki wojennej. Urządzenia SiC z tymi ocenami są obecnie oferowane szerzej. ”

Tyrystory na bazie węglika krzemu zapewniają 10-krotnie wyższe napięcie, 100X szybsze częstotliwości przełączania i praca w wyższych temperaturach w porównaniu z konwencjonalnymi tyrystorami na bazie krzemu. Docelowe zastosowania, możliwości badawcze dla tych urządzeń, obejmują uniwersalną konwersję mocy średniego napięcia (MVDC), Falowniki słoneczne podłączone do sieci, falowniki wiatrowe,, moc pulsacyjna, systemy uzbrojenia, kontrola zapłonu, i sterowanie spustem. Obecnie dobrze wiadomo, że bardzo wysokie napięcie (>10kV) Węglik krzemu (SiC) technologia urządzeń odegra rewolucyjną rolę w sieci energetycznej nowej generacji. Tyrystorowe urządzenia SiC oferują najwyższą wydajność w stanie włączenia dla >5 Urządzenia kV, i są szeroko stosowane w obwodach konwersji mocy średniego napięcia, takich jak ograniczniki prądu uszkodzeniowego, Przetwornice AC-DC, Statyczne kompensatory VAR i kompensatory szeregowe. Tyrystory oparte na SiC oferują również największą szansę na wczesne zastosowanie ze względu na ich podobieństwo do konwencjonalnych elementów sieci energetycznej. Wdrożenie tych zaawansowanych technologii półprzewodników mocy może zapewnić aż 25-30 procentowe zmniejszenie zużycia energii elektrycznej poprzez zwiększenie sprawności dostarczania energii elektrycznej.

dr. Singh kontynuuje: „Oczekuje się, że rynki na dużą skalę półprzewodnikowych podstacji elektrycznych i generatorów turbin wiatrowych zostaną otwarte po tym, jak naukowcy zajmujący się konwersją mocy w pełni zdadzą sobie sprawę z zalet tyrystorów SiC. Te tyrystory SiC pierwszej generacji wykorzystują najniższy zademonstrowany spadek napięcia w stanie i rezystancję różnicową, jaką kiedykolwiek osiągnięto w tyrystorach SiC. Zamierzamy wypuścić przyszłe generacje tyrystorów SiC zoptymalizowanych pod kątem możliwości wyłączania sterowanego bramką i >10Oceny kV. Ponieważ nadal opracowujemy rozwiązania w zakresie pakowania w wysokich temperaturach i ultrawysokich napięciach, obecne tyrystory 6,5 kV są pakowane w moduły z całkowicie lutowanymi stykami, ograniczone do temperatur złącza 150oC. ” GeneSiC jest szybko rozwijającym się innowatorem w dziedzinie urządzeń zasilających SiC i jest mocno zaangażowany w rozwój węglika krzemu (SiC) oparte na urządzeniach do: (a) Urządzenia HV-HF SiC dla sieci energetycznej, Broń impulsowa i broń skierowana energia; i (b) Wysokotemperaturowe urządzenia zasilające SiC do siłowników lotniczych i poszukiwania ropy naftowej.

Znajduje się w pobliżu Waszyngtonu, DC w Dulles, Wirginia, GeneSiC Semiconductor Inc. jest wiodącym innowatorem w dziedzinie wysokich temperatur, węglik krzemu o dużej mocy i bardzo wysokim napięciu (SiC) urządzenia. Aktualne projekty rozwojowe obejmują prostowniki wysokotemperaturowe, Tranzystory SuperJunction (SJT) i szeroka gama urządzeń opartych na tyrystorach. GeneSiC ma lub miał umowy typu prime/subcontracts z głównymi agencjami rządu USA, w tym Departament Energii, Marynarka wojenna, Armia, DARPA, i Departament Bezpieczeństwa Wewnętrznego. Firma przeżywa obecnie znaczny wzrost, oraz zatrudnienie wykwalifikowanego personelu w zakresie projektowania urządzeń zasilających i detektorów,, produkcja, i testowanie. By dowiedzieć się więcej, Proszę odwiedź www.genesicsemi.com.