ĆWICZENIA, VA, Październik 20, 2020 — GeneSiC wypuszcza na rynek tranzystory MOSFET z węglika krzemu 6,5 kV, które są liderem w zapewnianiu niespotykanych dotąd poziomów wydajności, wydajność i niezawodność w zastosowaniach związanych z konwersją mocy średniego napięcia, takich jak trakcja, energia pulsacyjna i infrastruktura inteligentnych sieci.
GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca szerokiej gamy węglika krzemu (SiC) półprzewodniki mocy, dzisiaj ogłasza natychmiastową dostępność gołych układów scalonych 6,5 kV SiC MOSFET - G2R300MT65-CAL i G2R325MS65-CAL. Wkrótce zostaną wydane pełne moduły SiC wykorzystujące tę technologię. Oczekuje się, że aplikacje będą obejmować trakcję, moc pulsacyjna, infrastruktura sieci inteligentnych i inne przetwornice średniego napięcia.
G2R300MT65-CAL - G2R ™ SiC MOSFET 6,5kV 300mΩ
G2R325MS65-CAL - MOSFET G2R ™ SiC 6,5 kV 325 mΩ (z Integrated-Schottky) Bare Chip
G2R100MT65-CAL - G2R ™ SiC MOSFET 6,5kV 100mΩ
Innowacja GeneSiC obejmuje podwójnie implantowany półprzewodnik z tlenku metalu SiC (DMOSFET) konstrukcja urządzenia z barierą połączeniową schottky (JBS) prostownik zintegrowany z ogniwem elementarnym SiC DMOSFET. To najnowocześniejsze urządzenie zasilające może być używane w różnych obwodach konwersji mocy w następnej generacji systemów przetwarzania energii. Inne istotne zalety to bardziej wydajne działanie dwukierunkowe, niezależne od temperatury przełączanie, niskie straty przełączania i przewodzenia, mniejsze wymagania dotyczące chłodzenia, doskonała długoterminowa niezawodność, łatwość łączenia urządzeń równolegle i korzyści finansowe. Technologia GeneSiC zapewnia doskonałą wydajność, a także może zmniejszyć ślad netto materiału SiC w przetwornicach mocy.
“Tranzystory MOSFET SiC 6,5 kV firmy GeneSiC zostały zaprojektowane i wykonane na 6-calowych płytkach w celu uzyskania niskiej rezystancji w stanie włączenia, najwyższa jakość, i doskonały wskaźnik ceny do wydajności. Ta technologia MOSFET nowej generacji zapewnia wzorową wydajność, doskonała wytrzymałość i długoterminowa niezawodność w zastosowaniach związanych z konwersją mocy średniego napięcia.” powiedziany dr. Siddarth Sundaresan, Wiceprezes ds. Technologii w GeneSiC Semiconductor.
Funkcje technologii MOSFET 6,5 kV G2R ™ SiC firmy GeneSiC –
- Duża lawina (UIS) i odporność na zwarcia
- Superior Qsol x RDS(NA) wartość zasługi
- Niezależne od temperatury straty przełączania
- Niskie pojemności i niski ładunek bramki
- Niskie straty we wszystkich temperaturach
- Stabilna praca przy normalnym wyłączeniu do 175 ° C
- +20 V / -5 Napęd do bramy V.
Arkusz danych i inne zasoby, odwiedzić – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip lub skontaktuj się sales@genesicsemi.com
Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.
GeneSiC Semiconductor jest pionierem i światowym liderem w technologii węglika krzemu, jednocześnie inwestując w technologie krzemowe dużej mocy. Wiodący światowi producenci systemów przemysłowych i obronnych polegają na technologii GeneSiC, aby podnieść wydajność i efektywność swoich produktów. Elektroniczne komponenty GeneSiC działają chłodniej, szybciej, i bardziej ekonomicznie, i odgrywają kluczową rolę w oszczędzaniu energii w szerokiej gamie systemów dużej mocy. Posiadamy wiodące patenty na technologie urządzeń zasilających o szerokiej przerwie energetycznej; rynek, który według prognoz osiągnie ponad $1 miliardów 2022. Naszą podstawową kompetencją jest dodawanie większej wartości naszym klientom’ produkt końcowy. Nasze wskaźniki wydajności i kosztów wyznaczają standardy w branży węglika krzemu.
