ĆWICZENIA, VA, grudzień 4, 2020 — GeneSiC ogłasza dostępność wiodących w branży dyskretnych tranzystorów MOSFET SiC 3300 V i 1700 V, które są zoptymalizowane pod kątem uzyskania niezrównanej miniaturyzacji, niezawodność i oszczędność energii w przemyśle.
GeneSiC Semiconductor, pionier i globalny dostawca wszechstronnego portfolio węglika krzemu (SiC) półprzewodniki mocy, dziś ogłasza natychmiastową dostępność tranzystorów MOSFET SiC 3300 V i 1700 V nowej generacji - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, i G2R1000MT33J. Te tranzystory SiC MOSFET zapewniają najwyższy poziom wydajności, na podstawie flagowych wartości zasługi (FoM) które usprawniają i upraszczają systemy zasilania w magazynach energii, energia odnawialna, silniki przemysłowe, falowniki ogólnego przeznaczenia i oświetlenie przemysłowe. Wydane produkty są:
G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET
G2R1000MT17D - 1700 V 1000 mΩ TO-247-3 SiC MOSFET
G2R1000MT17J - MOSFET 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC
G3R450MT17D - 1700 V 450 mΩ TO-247-3 SiC MOSFET
G3R450MT17J - MOSFET 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC
Nowe tranzystory MOSFET SiC 3300V i 1700V firmy GeneSiC, dostępne w opcjach 1000mΩ i 450mΩ jako dyskretne pakiety SMD i Through-Hole, są wysoce zoptymalizowane pod kątem projektów systemów zasilania wymagających podwyższonych poziomów wydajności i ultraszybkich prędkości przełączania. Urządzenia te mają znacznie lepsze poziomy wydajności w porównaniu z konkurencyjnymi produktami. Pewna jakość, wspierane przez szybkie zmiany w produkcji masowej dodatkowo zwiększają ich ofertę wartości.
„W zastosowaniach takich jak inwertery słoneczne 1500V, tranzystor MOSFET w zasilaczu pomocniczym może być zmuszony do wytrzymania napięć w zakresie 2500 V., w zależności od napięcia wejściowego, przekładnia transformatora i napięcie wyjściowe. Tranzystory MOSFET o wysokim napięciu przebicia eliminują potrzebę stosowania przełączników połączonych szeregowo w technologii Flyback, Przetworniki przyspieszające i do przodu zmniejszają w ten sposób liczbę części i zmniejszają złożoność obwodu. Dyskretne tranzystory MOSFET SiC 3300V i 1700V firmy GeneSiC pozwalają projektantom na stosowanie prostszej topologii opartej na pojedynczym przełączniku, a jednocześnie zapewniają klientom niezawodne, kompaktowy i ekonomiczny system” powiedział Sumit Jadav, Senior Applications Manager w GeneSiC Semiconductor.
funkcje –
- Doskonały wskaźnik ceny do wydajności
- Sztandarowy Qsol x RDS(NA) wartość zasługi
- Niska pojemność wewnętrzna i niski ładunek bramki
- Niskie straty we wszystkich temperaturach
- Wysoka odporność na lawiny i zwarcia
- Wzorcowe napięcie progowe dla normalnie wyłączonej stabilnej pracy do 175 ° C
Aplikacje –
- Energia odnawialna (falowniki słoneczne) i magazynowanie energii
- Silniki przemysłowe (i więź)
- Falowniki ogólnego przeznaczenia
- Oświetlenie przemysłowe
- Sterowniki piezo
- Generatory wiązki jonów
Wszystkie urządzenia można kupić u autoryzowanych dystrybutorów – www.genesicsemi.com/sales-support
Arkusz danych i inne zasoby, odwiedzić – www.genesicsemi.com/sic-mosfet lub skontaktuj się sales@genesicsemi.com
Informacje o półprzewodnikach GeneSiC, Inc.
GeneSiC Semiconductor jest pionierem i światowym liderem w technologii węglika krzemu, jednocześnie inwestując w technologie krzemowe dużej mocy. Wiodący światowi producenci systemów przemysłowych i obronnych polegają na technologii GeneSiC, aby podnieść wydajność i efektywność swoich produktów. Elektroniczne komponenty GeneSiC działają chłodniej, szybciej, i bardziej ekonomicznie, i odgrywają kluczową rolę w oszczędzaniu energii w szerokiej gamie systemów dużej mocy. Posiadamy wiodące patenty na technologie urządzeń zasilających o szerokiej przerwie energetycznej; rynek, który według prognoz osiągnie ponad $1 miliardów 2022. Naszą podstawową kompetencją jest dodawanie większej wartości naszym klientom’ produkt końcowy. Nasze wskaźniki wydajności i kosztów wyznaczają standardy w branży węglika krzemu.
