1200 Tranzystory V SiC „Super” Junction pracujące przy 250 °C przy wyjątkowo niskich stratach energii do zastosowań związanych z konwersją energii
Stabilność charakterystyk elektrycznych tranzystorów SiC „Super” Junction w długotrwałej pracy DC i impulsowej w różnych temperaturach
Tranzystory złączowe z węglika krzemu i prostowniki Schottky'ego zoptymalizowane do pracy w temperaturze 250 ° C
Szybko dojrzewające tranzystory złączowe SiC z obecnym wzmocnieniem (b) > 130, Napięcia blokujące do 2700 V i stabilna praca długoterminowa
Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers