Dom > Tyrystory techniczne > Szybko dojrzewające tranzystory złączowe SiC z obecnym wzmocnieniem (b) > 130, Napięcia blokujące do 2700 V i stabilna praca długoterminowa
Dom > Tyrystory techniczne > Szybko dojrzewające tranzystory złączowe SiC z obecnym wzmocnieniem (b) > 130, Napięcia blokujące do 2700 V i stabilna praca długoterminowa