Energia półprzewodników, Lider w branży układów scalonych mocy z azotku galu, ogłasza nabycie firmy GeneSiC Semiconductor, Pionier z węglika krzemu
Drugi, CA., 15 sierpnia, 2022 - Półprzewodnik energetyczny (Nasdaq: NVTS), lider branży azotku galu (GaN) układy scalone mocy, ogłosiło dziś przejęcie GeneSiC Semiconductor, węglik krzemu (SiC) pionier…
MOSFET G3R™ 750V SiC oferują niezrównaną wydajność i niezawodność Re
ĆWICZENIA, VA, Czerwiec 04, 2021 — Nowa generacja tranzystorów MOSFET 750V G3R™SiC firmy GeneSiC zapewni niespotykany dotąd poziom wydajności, solidność i jakość, która przewyższa jej odpowiedniki. Korzyści systemowe obejmują niskie spadki stanu…
5Diody SiC Schottky MPS ™ generacji 650V zapewniają najlepszą w swojej klasie wydajność
ĆWICZENIA, VA, Może 28, 2021 — GeneSiC Semiconductor, pionier i światowy dostawca węglika krzemu (SiC) półprzewodnikowe urządzenia mocy,, ogłasza dostępność piątej generacji (Seria GE***) SiC Schottky…
Nowe tranzystory MOSFET SiC trzeciej generacji firmy GeneSiC, charakteryzujące się najlepszymi w branży zaletami
ĆWICZENIA, VA, Luty 12, 2020 — MOSFET GeneSiC Semiconductor nowej generacji 1200 V G3R ™ SiC z RDS(NA) poziomy od 20 mΩ do 350 mΩ zapewniają niespotykane dotąd poziomy wydajności, solidność i jakość…
Tranzystory MOSFET SiC 3300V i 1700V 1000mΩ firmy GeneSiC rewolucjonizują miniaturyzację dodatkowych zasilaczy
ĆWICZENIA, VA, grudzień 4, 2020 — GeneSiC ogłasza dostępność wiodących w branży dyskretnych tranzystorów MOSFET SiC 3300 V i 1700 V, które są zoptymalizowane pod kątem uzyskania niezrównanej miniaturyzacji, niezawodność i oszczędność energii w przemyśle…