Tranzystory złączowe SiC „Super” z ultraszybkimi tranzystorami (< 15 ns) Możliwość przełączania
Charakterystyka stabilności wzmocnienia prądowego i pracy w trybie lawinowym 4H-SiC BJT
10 Wyłączniki BJT SiC kV - statyczne, charakterystyka przełączania i niezawodności
Szybko dojrzewające tranzystory złączowe SiC z obecnym wzmocnieniem (b) > 130, Napięcia blokujące do 2700 V i stabilna praca długoterminowa
Tranzystory złączowe z węglika krzemu i prostowniki Schottky'ego zoptymalizowane do pracy w temperaturze 250 ° C
Static and Switching Characteristics of 1200 V SiC Junction Transistors with On-chip Integrated Schottky Rectifiers
AN-10A Sterujące tranzystory złączowe SiC (SJT) z gotowymi do użycia krzemowymi sterownikami bramek IGBT: Koncepcja napędu jednopoziomowego
AN-10B Sterujące tranzystory złączowe SiC (SJT): Koncepcja napędu dwupoziomowego
Tablica rozdzielcza z podwójnym impulsem
Karta sterownika bramki dużej mocy
Karta sterownika bramki dużej mocy