postet på

GeneSiCs bransjeledende 6,5 kV SiC MOSFETs – Vanguard for a New Wave of Applications

6.5kV SiC MOSFET-er

DULLES, VA, oktober 20, 2020 — GeneSiC lanserer 6,5 kV MOSFET-er av silisiumkarbid for å være ledende når det gjelder å levere enestående ytelsesnivåer, effektivitet og pålitelighet i applikasjoner for kraftkonvertering med middels spenning som trekkraft, pulserende kraft og infrastruktur for smarte nett.

GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) kraft halvledere, kunngjør i dag umiddelbar tilgjengelighet av 6,5 kV SiC MOSFET bare chips - G2R300MT65-CAL og G2R325MS65-CAL. Full SiC-moduler som bruker denne teknologien, vil snart bli utgitt. Søknader forventes å inkludere trekkraft, pulserende kraft, infrastruktur for smarte nett og andre omformere for middels spenning.

G2R300MT65-CAL - 6,5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

G2R325MS65-CAL - 6,5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (med Integrated-Schottky) Bare Chip

G2R100MT65-CAL - 6,5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

GeneSiCs innovasjon har en SiC dobbeltimplantert metalloksyd halvleder (DMOSFET) enhetsstruktur med en kryssbarriere schottky (JBS) likeretter integrert i SiC DMOSFET-enhetscellen. Denne ledende kraftenheten kan brukes i en rekke strømkonverteringskretser i neste generasjon kraftkonverteringssystemer. Andre viktige fordeler inkluderer mer effektiv toveis ytelse, temperaturuavhengig bytte, lave koblings- og ledningstap, reduserte kjølekrav, overlegen langsiktig pålitelighet, enkel parallellinnretning og kostnadsfordeler. GeneSiCs teknologi gir overlegen ytelse og har også potensial til å redusere netto SiC materialavtrykk i kraftomformere.

“GeneSiCs 6,5 kV SiC MOSFETs er designet og produsert på 6-tommers vafler for å realisere lav motstand mot tilstanden, høyeste kvalitet, og overlegen pris-ytelsesindeks. Denne neste generasjons MOSFETs-teknologien lover eksempler på ytelse, overlegen robusthet og langsiktig pålitelighet i applikasjoner for kraftkonvertering med middels spenning.” sa Dr.. Siddarth Sundaresan, VP of Technology hos GeneSiC Semiconductor.

GeneSiCs 6,5 kV G2R ™ SiC MOSFET-teknologifunksjoner –

  • Høyt skred (UIS) og kortslutnings robusthet
  • Superior QG x RDS(PÅ) fortjenestetall
  • Temperaturuavhengige koblingstap
  • Lav kapasitans og lav portladning
  • Lavt tap ved alle temperaturer
  • Normalt av stabil drift opp til 175 ° C
  • +20 V / -5 V gate drive

For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip eller kontakt sales@genesicsemi.com

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.

postet på

GeneSiC lanserer bransjens best ytende 1700V SiC Schottky MPS™ dioder

DULLES, VA, januar 7, 2019 — GeneSiC lanserer en omfattende portefølje av sin tredje generasjon 1700V SiC Schottky MPS ™ -dioder i TO-247-2-pakke

GeneSiC har introdusert GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 og GB50MPS17-247; bransjens best ytende 1700V SiC-dioder tilgjengelig i den populære TO-247-2 gjennomgående hullpakken. Disse 1700V SiC-diodene erstatter silisiumbaserte ultra-raske gjenopprettingsdioder og andre gamle generasjon 1700V SiC JBS, slik at ingeniører kan bygge bryterkretser med større effektivitet og høyere effekttetthet. Applikasjonene forventes å inkludere hurtigladere for elektriske kjøretøy, motordrev, transportforsyning og fornybar energi.

GB50MPS17-247 er en 1700V 50A SiC sammenslått-PiN-schottky-diode, bransjens høyeste nåværende diskrete SiC-effektdiode. Disse nylig utgitte diodene har lavt spenningsfall fremover, null fremdrift, null omvendt utvinning, lav krysskapasitans og er vurdert for en maksimal driftstemperatur på 175 ° C. GeneSiCs tredje generasjon SiC schottky-diodeteknologi gir bransjeledende skred robusthet og spenningsstrøm (Ifsm) robusthet, kombinert med høykvalitets kvalifisert 6-tommers støperi og avansert diskret monteringsteknologi med høy pålitelighet.

Disse SiC-diodene er pin-kompatible direkte erstatninger for andre dioder som er tilgjengelige i TO-247-2-pakken. Dra nytte av deres lavere strømtap (kjøligere drift) og høyfrekvente koblingsfunksjoner, designere kan nå oppnå større konverteringseffektivitet og større effekttetthet i design.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederinnretninger for høy temperatur, stråling, og kraftnett applikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakteriserings- og testanlegg for slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet skiller seg ut ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesielt tilpasset hver kundes behov. GeneSiC har hovedkontrakter / underkontrakter fra store amerikanske regjeringsbyråer, inkludert ARPA-E, US Dept of Energy, marinen, DARPA, Avdeling for hjemlandssikkerhet, Dept of Commerce og andre avdelinger innen US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen i Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring med fabrikasjon av sammensatte halvlederanordninger, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.