DULLES, VA, februar 12, 2020 — GeneSiC Semiconductors neste generasjon 1200V G3R ™ SiC MOSFET med RDS(PÅ) nivåer som spenner fra 20 mΩ til 350 mΩ gir enestående ytelsesnivåer, robusthet og kvalitet som overstiger dets kolleger. Systemfordelene inkluderer høyere effektivitet, raskere byttefrekvens, økt effekttetthet, redusert ringing (EMI) og kompakt systemstørrelse.
GeneSiC kunngjør tilgjengeligheten av sine bransjeledende 3. generasjons silisiumkarbid MOSFET-er som har bransjeledende ytelse, robusthet og kvalitet til å utnytte nivåer av effektivitet og systempålitelighet i bil- og industrielle applikasjoner.
Disse G3R ™ SiC MOSFETene, tilbys i optimaliserte diskrete pakker med lav induktans (SMD og gjennomgående hull), er svært optimalisert for kraftsystemdesign som krever høye effektivitetsnivåer og ultrahurtige byttehastigheter. Disse enhetene har betydelig bedre ytelsesnivåer sammenlignet med konkurrerende produkter. En sikret kvalitet, støttet av rask omsetning med høyt volumproduksjon, forbedrer deres verdiproposisjon ytterligere.
“Etter år med utviklingsarbeid for å oppnå den laveste motstanden på stedet og forbedret kortslutningsytelse, Vi er glade for å frigjøre bransjens best ytende 1200V SiC MOSFET med over 15+ diskrete og bare chip-produkter. Hvis neste generasjons kraftelektronikksystemer skal møte den utfordrende effektiviteten, kraftdensitet og kvalitetsmål i applikasjoner som bilindustri, industriell, fornybar energi, transport, IT og telekom, da krever de betydelig forbedret enhetsytelse og pålitelighet sammenlignet med nåværende tilgjengelige SiC MOSFET-er” sa Dr.. Ranbir Singh, President i GeneSiC Semiconductor.
Egenskaper –
- Superior QG x RDS(PÅ) fortjeneste – G3R ™ SiC MOSFETs har bransjens laveste motstand på stedet med en veldig lav portladning, som resulterer i 20% bedre fortjeneste enn noen annen lignende konkurrentenhet
- Lavt ledningstap ved alle temperaturer – GeneSiCs MOSFETs har den mykeste temperaturavhengigheten av motstand på stedet for å tilby svært lave ledningstap ved alle temperaturer; betydelig bedre enn noen andre grøft og plane SiC MOSFETer i markedet
- 100 % skred testet – Robust UIL-evne er et kritisk krav for de fleste feltapplikasjoner. GeneSiCs 1200V SiC MOSFET diskrete er 100 % snøskred (UIL) testet under produksjon
- Lav portladning og lav innvendig portmotstand – Disse parametrene er avgjørende for å realisere ultra-rask bytte og oppnå høyest effektivitet (lav Eon -Eoff) over et bredt spekter av applikasjonsbryterfrekvenser
- Normalt av stabil drift opp til 175 ° C – Alle GeneSiCs SiC MOSFETs er designet og produsert med toppmoderne prosesser for å levere produkter som er stabile og pålitelige under alle driftsforhold uten risiko for funksjonsfeil. Den overlegne gateoksidkvaliteten til disse enhetene forhindrer terskler (VTH) drift
- Lav enhetskapasitans – G3R ™ er designet for å kjøre raskere og mer effektivt med lave enhetskapasiteter - Ciss, Coss og Crss
- Rask og pålitelig kroppsdiode med lav egenladning – GeneSiCs MOSFETs har referanseindeks for lav omvendt gjenopprettingskostnad (SpørsmålRR) ved alle temperaturer; 30% bedre enn noen tilsvarende rangert konkurrentenhet. Dette gir ytterligere reduksjon i strømtap og øker driftsfrekvensen
- Brukervennlighet – G3R ™ SiC MOSFET er designet for å kjøres ved + 15V / -5V gate drive. Dette gir bredeste kompatibilitet med eksisterende kommersielle IGBT- og SiC MOSFET-portdrivere
applikasjoner –
- Elektrisk kjøretøy – Motortog og lading
- Solar inverter og energilagring
- Industriell motorstasjon
- Avbruddsfri strømforsyning (UPS)
- Switched Mode Strømforsyning (SMPS)
- Toveis DC-DC-omformere
- Smart Grid og HVDC
- Induksjonsoppvarming og sveising
- Pulsed Power Application
Alle enheter kan kjøpes gjennom autoriserte distributører – www.genesicsemi.com/sales-support
For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet eller kontakt sales@genesicsemi.com
Alle GeneSiC Semiconductors SiC MOSFET-er er målrettet for bilapplikasjoner (AEC-q101) og PPAP-kompatibel. Alle enhetene tilbys i industristandard D2PAK, TO-247 og SOT-227 pakker.
Om GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.
