DULLES, VA, oktober 20, 2020 — GeneSiC lanserer 6,5 kV MOSFET-er av silisiumkarbid for å være ledende når det gjelder å levere enestående ytelsesnivåer, effektivitet og pålitelighet i applikasjoner for kraftkonvertering med middels spenning som trekkraft, pulserende kraft og infrastruktur for smarte nett.
GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) kraft halvledere, kunngjør i dag umiddelbar tilgjengelighet av 6,5 kV SiC MOSFET bare chips - G2R300MT65-CAL og G2R325MS65-CAL. Full SiC-moduler som bruker denne teknologien, vil snart bli utgitt. Søknader forventes å inkludere trekkraft, pulserende kraft, infrastruktur for smarte nett og andre omformere for middels spenning.
G2R300MT65-CAL - 6,5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip
G2R325MS65-CAL - 6,5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (med Integrated-Schottky) Bare Chip
G2R100MT65-CAL - 6,5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip
GeneSiCs innovasjon har en SiC dobbeltimplantert metalloksyd halvleder (DMOSFET) enhetsstruktur med en kryssbarriere schottky (JBS) likeretter integrert i SiC DMOSFET-enhetscellen. Denne ledende kraftenheten kan brukes i en rekke strømkonverteringskretser i neste generasjon kraftkonverteringssystemer. Andre viktige fordeler inkluderer mer effektiv toveis ytelse, temperaturuavhengig bytte, lave koblings- og ledningstap, reduserte kjølekrav, overlegen langsiktig pålitelighet, enkel parallellinnretning og kostnadsfordeler. GeneSiCs teknologi gir overlegen ytelse og har også potensial til å redusere netto SiC materialavtrykk i kraftomformere.
“GeneSiCs 6,5 kV SiC MOSFETs er designet og produsert på 6-tommers vafler for å realisere lav motstand mot tilstanden, høyeste kvalitet, og overlegen pris-ytelsesindeks. Denne neste generasjons MOSFETs-teknologien lover eksempler på ytelse, overlegen robusthet og langsiktig pålitelighet i applikasjoner for kraftkonvertering med middels spenning.” sa Dr.. Siddarth Sundaresan, VP of Technology hos GeneSiC Semiconductor.
GeneSiCs 6,5 kV G2R ™ SiC MOSFET-teknologifunksjoner –
- Høyt skred (UIS) og kortslutnings robusthet
- Superior QG x RDS(PÅ) fortjenestetall
- Temperaturuavhengige koblingstap
- Lav kapasitans og lav portladning
- Lavt tap ved alle temperaturer
- Normalt av stabil drift opp til 175 ° C
- +20 V / -5 V gate drive
For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip eller kontakt sales@genesicsemi.com
Om GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.
