postet på

GeneSiCs bransjeledende 6,5 kV SiC MOSFETs – Vanguard for a New Wave of Applications

6.5kV SiC MOSFET-er

DULLES, VA, oktober 20, 2020 — GeneSiC lanserer 6,5 kV MOSFET-er av silisiumkarbid for å være ledende når det gjelder å levere enestående ytelsesnivåer, effektivitet og pålitelighet i applikasjoner for kraftkonvertering med middels spenning som trekkraft, pulserende kraft og infrastruktur for smarte nett.

GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av et bredt utvalg av silisiumkarbid (SiC) kraft halvledere, kunngjør i dag umiddelbar tilgjengelighet av 6,5 kV SiC MOSFET bare chips - G2R300MT65-CAL og G2R325MS65-CAL. Full SiC-moduler som bruker denne teknologien, vil snart bli utgitt. Søknader forventes å inkludere trekkraft, pulserende kraft, infrastruktur for smarte nett og andre omformere for middels spenning.

G2R300MT65-CAL - 6,5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

G2R325MS65-CAL - 6,5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (med Integrated-Schottky) Bare Chip

G2R100MT65-CAL - 6,5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET Bare Chip

GeneSiCs innovasjon har en SiC dobbeltimplantert metalloksyd halvleder (DMOSFET) enhetsstruktur med en kryssbarriere schottky (JBS) likeretter integrert i SiC DMOSFET-enhetscellen. Denne ledende kraftenheten kan brukes i en rekke strømkonverteringskretser i neste generasjon kraftkonverteringssystemer. Andre viktige fordeler inkluderer mer effektiv toveis ytelse, temperaturuavhengig bytte, lave koblings- og ledningstap, reduserte kjølekrav, overlegen langsiktig pålitelighet, enkel parallellinnretning og kostnadsfordeler. GeneSiCs teknologi gir overlegen ytelse og har også potensial til å redusere netto SiC materialavtrykk i kraftomformere.

“GeneSiCs 6,5 kV SiC MOSFETs er designet og produsert på 6-tommers vafler for å realisere lav motstand mot tilstanden, høyeste kvalitet, og overlegen pris-ytelsesindeks. Denne neste generasjons MOSFETs-teknologien lover eksempler på ytelse, overlegen robusthet og langsiktig pålitelighet i applikasjoner for kraftkonvertering med middels spenning.” sa Dr.. Siddarth Sundaresan, VP of Technology hos GeneSiC Semiconductor.

GeneSiCs 6,5 kV G2R ™ SiC MOSFET-teknologifunksjoner –

  • Høyt skred (UIS) og kortslutnings robusthet
  • Superior QG x RDS(PÅ) fortjenestetall
  • Temperaturuavhengige koblingstap
  • Lav kapasitans og lav portladning
  • Lavt tap ved alle temperaturer
  • Normalt av stabil drift opp til 175 ° C
  • +20 V / -5 V gate drive

For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip eller kontakt sales@genesicsemi.com

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.

postet på

GeneSiC vinner prestisjetunge R&D100-pris for SiC-basert monolitisk transistor-likeretterbryter

DULLES, VA, desember 5, 2019 — R&D Magazine har valgt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottaker av det prestisjetunge 2019 R&D 100 Award for development of SiC-Based Monolithic Transistor-Rectifier Switch.

GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored with the announcement that it has been awarded the prestigious 2019 R&D 100 Tildele. Denne prisen anerkjenner GeneSiC for å introdusere en av de mest betydningsfulle, nylig introduserte forskning og utvikling fremskritt blant flere disipliner i løpet av 2018. R&D Magazine recognized GeneSiC’s medium voltage SiC power device technology for its ability to monolithically integrate MOSFET and Schottky rectifier on a single chip. These capabilities achieved by GeneSiC’s device critically enable power electronics researchers to develop next-generation power electronic systems like inverters and DC-DC converters. This will allow product developments within electric vehicles, charging infrastructure, renewable energy and energy storage industries. GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these devices and continues to develop its family of Silicon Carbide MOSFET products. R&D on early version for power conversion applications were developed through US Dept. of Energy and collaboration with Sandia National Laboratories.

The annual technology competition run by R&D Magazine evaluerte bidrag fra ulike selskaper og bransjeaktører, forskningsorganisasjoner og universiteter over hele verden. Bladets redaktører og et panel av eksterne eksperter fungerte som dommere, evaluere hver oppføring med tanke på dens betydning for vitenskapens og forskningsverdenen.

I følge R&D Magasin, vinne en R&D 100 Prisen gir en karakter av fortreffelighet kjent for industrien, Myndighetene, og akademia som bevis på at produktet er en av årets mest innovative ideer. Denne prisen anerkjenner GeneSiC som en global leder innen utvikling av teknologibaserte produkter som utgjør en forskjell i hvordan vi jobber og lever.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederinnretninger for høy temperatur, stråling, og kraftnett applikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakteriserings- og testanlegg for slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet skiller seg ut ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesielt tilpasset hver kundes behov. GeneSiC har hovedkontrakter / underkontrakter fra store amerikanske regjeringsbyråer, inkludert ARPA-E, US Dept of Energy, marinen, DARPA, Avdeling for hjemlandssikkerhet, Dept of Commerce og andre avdelinger innen US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen i Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring med fabrikasjon av sammensatte halvlederanordninger, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.