DULLES, VA, desember 4, 2020 — GeneSiC kunngjør tilgjengeligheten av bransjeledende 3300V og 1700V diskrete SiC MOSFETer som er optimalisert for å oppnå enestående miniatyrisering, pålitelighet og energibesparelser i industriell husholdningskraft.
GeneSiC Semiconductor, en pioner og global leverandør av en omfattende portefølje av Silicon Carbide (SiC) kraft halvledere, kunngjør i dag umiddelbar tilgjengelighet av neste generasjons 3300V og 1700V 1000mΩ SiC MOSFETs - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, og G2R1000MT33J. Disse SiC MOSFETene muliggjør overlegne ytelsesnivåer, basert på flaggskip Tall av fortjeneste (FoM) som forbedrer og forenkler kraftsystemer på tvers av energilagring, fornybar energi, industrielle motorer, generelle omformere og industriell belysning. Produkter utgitt er:
G2R1000MT33J - 3300V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET
G2R1000MT17D - 1700V 1000mΩ TO-247-3 SiC MOSFET
G2R1000MT17J - 1700V 1000mΩ TO-263-7 SiC MOSFET
G3R450MT17D - 1700V 450mΩ TO-247-3 SiC MOSFET
G3R450MT17J - 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET
GeneSiCs nye 3300V og 1700V SiC MOSFET, tilgjengelig i 1000mΩ og 450mΩ opsjoner som SMD og gjennomgående hullpakker, er svært optimalisert for kraftsystemdesign som krever høye effektivitetsnivåer og ultrahurtige byttehastigheter. Disse enhetene har betydelig bedre ytelsesnivåer sammenlignet med konkurrerende produkter. En sikret kvalitet, støttet av rask omsetning med høyt volumproduksjon, forbedrer deres verdiproposisjon ytterligere.
“I applikasjoner som 1500V solcelleomformere, MOSFET i hjelpestrømforsyning må kanskje tåle spenninger i området 2500V, avhengig av inngangsspenningen, svinger forholdet mellom transformatoren og utgangsspenningen. Høy MOSFET-sammenbruddsspenning tilveiebringer behovet for seriekoblede brytere i Flyback, Boost og Forward omformere og reduserer dermed antall deler og reduserer krets kompleksitet. GeneSiCs 3300V og 1700V diskrete SiC MOSFETs tillater designere å bruke enklere enkeltbryterbasert topologi og samtidig gi kundene pålitelig, kompakt og kostnadseffektivt system” sa Sumit Jadav, Senior Applications Manager hos GeneSiC Semiconductor.
Egenskaper –
- Overlegen pris-ytelsesindeks
- Flaggskip QG x RDS(PÅ) fortjenestetall
- Lav egenkapasitet og lav portladning
- Lavt tap ved alle temperaturer
- Høyt snøskred og kortslutnings robusthet
- Referanseterskelspenning for normalt avstabil drift opp til 175 ° C
applikasjoner –
- Fornybar energi (solomformere) og energilagring
- Industrielle motorer (og bånd)
- Generelle omformere
- Industriell belysning
- Piezo-drivere
- Ion-beam generatorer
Alle enheter kan kjøpes gjennom autoriserte distributører – www.genesicsemi.com/sales-support
For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet eller kontakt sales@genesicsemi.com
Om GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.
