GeneSiC har introdusert GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 og GB50MPS17-247; bransjens best ytende 1700V SiC-dioder tilgjengelig i den populære TO-247-2 gjennomgående hullpakken. Disse 1700V SiC-diodene erstatter silisiumbaserte ultra-raske gjenopprettingsdioder og andre gamle generasjon 1700V SiC JBS, slik at ingeniører kan bygge bryterkretser med større effektivitet og høyere effekttetthet. Applikasjonene forventes å inkludere hurtigladere for elektriske kjøretøy, motordrev, transportforsyning og fornybar energi.
GB50MPS17-247 er en 1700V 50A SiC sammenslått-PiN-schottky-diode, bransjens høyeste nåværende diskrete SiC-effektdiode. Disse nylig utgitte diodene har lavt spenningsfall fremover, null fremdrift, null omvendt utvinning, lav krysskapasitans og er vurdert for en maksimal driftstemperatur på 175 ° C. GeneSiCs tredje generasjon SiC schottky-diodeteknologi gir bransjeledende skred robusthet og spenningsstrøm (Ifsm) robusthet, kombinert med høykvalitets kvalifisert 6-tommers støperi og avansert diskret monteringsteknologi med høy pålitelighet.
Disse SiC-diodene er pin-kompatible direkte erstatninger for andre dioder som er tilgjengelige i TO-247-2-pakken. Dra nytte av deres lavere strømtap (kjøligere drift) og høyfrekvente koblingsfunksjoner, designere kan nå oppnå større konverteringseffektivitet og større effekttetthet i design.
Om GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederinnretninger for høy temperatur, stråling, og kraftnett applikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakteriserings- og testanlegg for slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet skiller seg ut ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesielt tilpasset hver kundes behov. GeneSiC har hovedkontrakter / underkontrakter fra store amerikanske regjeringsbyråer, inkludert ARPA-E, US Dept of Energy, marinen, DARPA, Avdeling for hjemlandssikkerhet, Dept of Commerce og andre avdelinger innen US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen i Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring med fabrikasjon av sammensatte halvlederanordninger, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.
