postet på

GeneSiCs nye 3. generasjons SiC MOSFET med bransjens beste fortjeneste

DULLES, VA, februar 12, 2020 — GeneSiC Semiconductors neste generasjon 1200V G3R ™ SiC MOSFET med RDS(PÅ) nivåer som spenner fra 20 mΩ til 350 mΩ gir enestående ytelsesnivåer, robusthet og kvalitet som overstiger dets kolleger. Systemfordelene inkluderer høyere effektivitet, raskere byttefrekvens, økt effekttetthet, redusert ringing (EMI) og kompakt systemstørrelse.

GeneSiC kunngjør tilgjengeligheten av sine bransjeledende 3. generasjons silisiumkarbid MOSFET-er som har bransjeledende ytelse, robusthet og kvalitet til å utnytte nivåer av effektivitet og systempålitelighet i bil- og industrielle applikasjoner.

Disse G3R ™ SiC MOSFETene, tilbys i optimaliserte diskrete pakker med lav induktans (SMD og gjennomgående hull), er svært optimalisert for kraftsystemdesign som krever høye effektivitetsnivåer og ultrahurtige byttehastigheter. Disse enhetene har betydelig bedre ytelsesnivåer sammenlignet med konkurrerende produkter. En sikret kvalitet, støttet av rask omsetning med høyt volumproduksjon, forbedrer deres verdiproposisjon ytterligere.

“Etter år med utviklingsarbeid for å oppnå den laveste motstanden på stedet og forbedret kortslutningsytelse, Vi er glade for å frigjøre bransjens best ytende 1200V SiC MOSFET med over 15+ diskrete og bare chip-produkter. Hvis neste generasjons kraftelektronikksystemer skal møte den utfordrende effektiviteten, kraftdensitet og kvalitetsmål i applikasjoner som bilindustri, industriell, fornybar energi, transport, IT og telekom, da krever de betydelig forbedret enhetsytelse og pålitelighet sammenlignet med nåværende tilgjengelige SiC MOSFET-er” sa Dr.. Ranbir Singh, President i GeneSiC Semiconductor.

Egenskaper –

  • Superior QG x RDS(PÅ) fortjeneste – G3R ™ SiC MOSFETs har bransjens laveste motstand på stedet med en veldig lav portladning, som resulterer i 20% bedre fortjeneste enn noen annen lignende konkurrentenhet
  • Lavt ledningstap ved alle temperaturer – GeneSiCs MOSFETs har den mykeste temperaturavhengigheten av motstand på stedet for å tilby svært lave ledningstap ved alle temperaturer; betydelig bedre enn noen andre grøft og plane SiC MOSFETer i markedet
  • 100 % skred testet – Robust UIL-evne er et kritisk krav for de fleste feltapplikasjoner. GeneSiCs 1200V SiC MOSFET diskrete er 100 % snøskred (UIL) testet under produksjon
  • Lav portladning og lav innvendig portmotstand – Disse parametrene er avgjørende for å realisere ultra-rask bytte og oppnå høyest effektivitet (lav Eon -Eoff) over et bredt spekter av applikasjonsbryterfrekvenser
  • Normalt av stabil drift opp til 175 ° C – Alle GeneSiCs SiC MOSFETs er designet og produsert med toppmoderne prosesser for å levere produkter som er stabile og pålitelige under alle driftsforhold uten risiko for funksjonsfeil. Den overlegne gateoksidkvaliteten til disse enhetene forhindrer terskler (VTH) drift
  • Lav enhetskapasitans – G3R ™ er designet for å kjøre raskere og mer effektivt med lave enhetskapasiteter - Ciss, Coss og Crss
  • Rask og pålitelig kroppsdiode med lav egenladning – GeneSiCs MOSFETs har referanseindeks for lav omvendt gjenopprettingskostnad (SpørsmålRR) ved alle temperaturer; 30% bedre enn noen tilsvarende rangert konkurrentenhet. Dette gir ytterligere reduksjon i strømtap og øker driftsfrekvensen
  • Brukervennlighet – G3R ™ SiC MOSFET er designet for å kjøres ved + 15V / -5V gate drive. Dette gir bredeste kompatibilitet med eksisterende kommersielle IGBT- og SiC MOSFET-portdrivere

applikasjoner –

  • Elektrisk kjøretøy – Motortog og lading
  • Solar inverter og energilagring
  • Industriell motorstasjon
  • Avbruddsfri strømforsyning (UPS)
  • Switched Mode Strømforsyning (SMPS)
  • Toveis DC-DC-omformere
  • Smart Grid og HVDC
  • Induksjonsoppvarming og sveising
  • Pulsed Power Application

Alle enheter kan kjøpes gjennom autoriserte distributører – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key elektronikk

Newark Farnell element14

Mouser Electronics

Arrow Electronics

For datablad og andre ressurser, besøk – www.genesicsemi.com/sic-mosfet eller kontakt sales@genesicsemi.com

Alle GeneSiC Semiconductors SiC MOSFET-er er målrettet for bilapplikasjoner (AEC-q101) og PPAP-kompatibel. Alle enhetene tilbys i industristandard D2PAK, TO-247 og SOT-227 pakker.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor er en pioner og verdensledende innen silisiumkarbidteknologi, mens de også investerte i kraftige silisiumteknologier. De verdensledende produsentene av industri- og forsvarssystemer er avhengige av GeneSiCs teknologi for å øke ytelsen og effektiviteten til deres produkter. GeneSiCs elektroniske komponenter kjører kjøligere, raskere, og mer økonomisk, og spille en nøkkelrolle for å spare energi i et bredt utvalg av høyeffektsystemer. Vi har ledende patenter på teknologi for bredbåndsforskjell; et marked som forventes å nå mer enn $1 milliarder av 2022. Vår kjernekompetanse er å gi kundene mer verdi’ sluttprodukt. Våre ytelses- og kostnadsberegninger setter standarder i silisiumkarbidindustrien.

postet på

GeneSiC vinner prestisjetunge R&D100-pris for SiC-basert monolitisk transistor-likeretterbryter

DULLES, VA, desember 5, 2019 — R&D Magazine har valgt GeneSiC Semiconductor Inc. av Dulles, VA som mottaker av det prestisjetunge 2019 R&D 100 Award for development of SiC-Based Monolithic Transistor-Rectifier Switch.

GeneSiC Semiconductor Inc., a key innovator in the Silicon Carbide based power devices was honored with the announcement that it has been awarded the prestigious 2019 R&D 100 Tildele. Denne prisen anerkjenner GeneSiC for å introdusere en av de mest betydningsfulle, nylig introduserte forskning og utvikling fremskritt blant flere disipliner i løpet av 2018. R&D Magazine recognized GeneSiC’s medium voltage SiC power device technology for its ability to monolithically integrate MOSFET and Schottky rectifier on a single chip. These capabilities achieved by GeneSiC’s device critically enable power electronics researchers to develop next-generation power electronic systems like inverters and DC-DC converters. This will allow product developments within electric vehicles, charging infrastructure, renewable energy and energy storage industries. GeneSiC has booked orders from multiple customers towards demonstration of advanced power electronics hardware using these devices and continues to develop its family of Silicon Carbide MOSFET products. R&D on early version for power conversion applications were developed through US Dept. of Energy and collaboration with Sandia National Laboratories.

The annual technology competition run by R&D Magazine evaluerte bidrag fra ulike selskaper og bransjeaktører, forskningsorganisasjoner og universiteter over hele verden. Bladets redaktører og et panel av eksterne eksperter fungerte som dommere, evaluere hver oppføring med tanke på dens betydning for vitenskapens og forskningsverdenen.

I følge R&D Magasin, vinne en R&D 100 Prisen gir en karakter av fortreffelighet kjent for industrien, Myndighetene, og akademia som bevis på at produktet er en av årets mest innovative ideer. Denne prisen anerkjenner GeneSiC som en global leder innen utvikling av teknologibaserte produkter som utgjør en forskjell i hvordan vi jobber og lever.

Om GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC er en raskt voksende innovatør innen SiC-kraftenheter og har et sterkt engasjement for utvikling av silisiumkarbid (SiC) baserte enheter for: (en) HV-HF SiC-enheter for Power Grid, Pulsed power and Directed Energy Weapons; og (b) Høytemperatur SiC-kraftenheter for flyaktuatorer og oljeleting. GeneSiC Semiconductor Inc.. utvikler silisiumkarbid (SiC) baserte halvlederinnretninger for høy temperatur, stråling, og kraftnett applikasjoner. Dette inkluderer utvikling av likerettere, FET-er, bipolare enheter så vel som partikkel & fotoniske detektorer. GeneSiC har tilgang til en omfattende serie med halvlederdesign, fabrikasjon, karakteriserings- og testanlegg for slike enheter. GeneSiC utnytter sin kjernekompetanse innen enhets- og prosessdesign for å utvikle best mulig SiC-enheter for sine kunder. Selskapet skiller seg ut ved å tilby produkter av høy kvalitet som er spesielt tilpasset hver kundes behov. GeneSiC har hovedkontrakter / underkontrakter fra store amerikanske regjeringsbyråer, inkludert ARPA-E, US Dept of Energy, marinen, DARPA, Avdeling for hjemlandssikkerhet, Dept of Commerce og andre avdelinger innen US Dept. av forsvaret. GeneSiC fortsetter raskt å forbedre utstyret og personellinfrastrukturen i Dulles, Virginia-anlegget. Selskapet ansetter aggressivt personell med erfaring med fabrikasjon av sammensatte halvlederanordninger, halvledertesting og detektordesign. Ytterligere informasjon om selskapet og dets produkter kan fås ved å ringe GeneSiC på 703-996-8200 eller ved å besøkewww.genesicsemi.com.