오늘날의 반도체
10 월 28, 2014 – GeneSiC 출시 개선, 더 낮은 온 저항 1700V 및 1200V SiC 접합 트랜지스터
전력 전자 유럽 뉴스
9 월 5, 2013 – GeneSiC의 SJT는 다른 SiC 스위치보다 전체 손실이 더 낮다고 언급됨
SiC 스위치 구동 – Compound Semiconductor Magazine에서 (페이지 41)
칠월 29, 2013 – SJT는 IGBT 드라이버 호환 작동을 제공합니다.
화합물 반도체 매거진 (페이지 33)
행진, 2012 – SiC 전자: 고온 약속 활용
보도의 전력 시스템 (페이지 44)
이월, 2012 – 실리콘 카바이드 사이리스터, 스마트 그리드 혁명 안내
