덜스, VA, 십일월 1, 2010 –최초의 제품, GeneSiC Semiconductor, 스마트 그리드 애플리케이션 용 전력 전자 장치에 사용하기위한 6.5kV SCR 모드 실리콘 카바이드 사이리스터 제품군 출시 발표. 이러한 전력 장치의 혁신적인 성능 이점은 분산 에너지 자원의 접근성과 활용을 높이기 위해 유틸리티 규모 전력 전자 하드웨어의 주요 혁신을 촉진 할 것으로 예상됩니다. (의). "지금까지, 다중 kV 실리콘 카바이드 (SiC) 전력 장치는 SiC 기반 전력 장치의 잘 알려진 장점 (5-15kV 정격에서 2-10kHz 작동 주파수)을 충분히 활용하기 위해 미국 연구자들에게 공개적으로 제공되지 않았습니다.” 박사 코멘트. 란 비르 싱, GeneSiC 사장. “GeneSiC는 최근 많은 6.5kV / 40A 공급을 완료했습니다., 6.5재생 가능 에너지 연구를 수행하는 여러 고객에게 kV / 60A 및 6.5kV / 80A 사이리스터 제공, 육군 및 해군 전력 시스템 애플리케이션. 이러한 등급의 SiC 장치는 이제 더 광범위하게 제공되고 있습니다.”
실리콘 카바이드 기반 사이리스터는 10 배 더 높은 전압을 제공합니다., 100X 기존 실리콘 기반 사이리스터에 비해 더 빠른 스위칭 주파수 및 더 높은 온도 작동. 이러한 장치에 대한 대상 애플리케이션 연구 기회에는 범용 고압 전력 변환이 포함됩니다. (MVDC), 계통 연계 형 태양 광 인버터, 풍력 인버터, 펄스 전력, 무기 시스템, 점화 제어, 및 트리거 제어. 이제 초 고전압이 (>10케이 V) 실리콘 카바이드 (SiC) 장치 기술은 차세대 유틸리티 그리드에서 혁신적인 역할을 할 것입니다.. 사이리스터 기반 SiC 장치는 >5 kV 장치, 오류 전류 제한 기와 같은 고압 전력 변환 회로에 널리 적용됩니다., AC-DC 컨버터, 정적 VAR 보상기 및 시리즈 보상기. SiC 기반 사이리스터는 기존 전력망 요소와 유사하기 때문에 조기 채택 가능성이 가장 높습니다.. 이러한 고급 전력 반도체 기술을 배포하면 25-30 전력 공급 효율 향상을 통한 전력 소비 퍼센트 감소.
박사. Singh은 계속해서“전력 변환 분야의 연구원들이 SiC 사이리스터의 이점을 완전히 깨닫게되면 고체 전기 변전소 및 풍력 터빈 발전기의 대규모 시장이 열릴 것으로 예상됩니다.. 이 1 세대 SiC 사이리스터는 SiC 사이리스터에서 지금까지 달성 된 최저 온 상태 전압 강하 및 차동 온 저항을 활용합니다.. 게이트 제어 턴 오프 기능에 최적화 된 차세대 SiC 사이리스터를 출시 할 예정입니다. >10kV 등급. 고온 초고압 패키징 솔루션을 지속적으로 개발함에 따라, 현재 6.5kV 사이리스터는 완전히 납땜 된 접점이있는 모듈에 패키지로 제공됩니다., 150oC 접합 온도로 제한됩니다. " GeneSiC는 SiC 전력 장치 분야에서 빠르게 떠오르는 혁신 기업이며 실리콘 카바이드 개발에 대한 강한 의지를 가지고 있습니다. (SiC) 기반 장치: (ㅏ) 전력망 용 HV-HF SiC 장치, 펄스 파워와 방향성 에너지 무기; 과 (비) 항공기 액추에이터 및 석유 탐사를위한 고온 SiC 전력 장치.
워싱턴 근처에 위치, 덜레스의 DC, 여자 이름, GeneSiC 반도체 Inc. 고온 분야의 선도적 인 혁신 기업, 고전력 및 초고압 실리콘 카바이드 (SiC) 장치. 현재 개발 프로젝트에는 고온 정류기가 포함됩니다., SuperJunction 트랜지스터 (SJT) 다양한 사이리스터 기반 장치. GeneSiC는 주요 미국 정부 기관으로부터 프라임 / 하도급 계약을 맺었거나 보유하고 있습니다., 에너지 부 포함, 해군, 육군, DARPA, 국토 안보부. 회사는 현재 상당한 성장을 경험하고 있습니다, 전력 장치 및 탐지기 설계 분야에서 자격을 갖춘 인력 채용, 제작, 및 테스트. 더 알아 보려면, 방문하시기 바랍니다 www.genesicsemi.com.
