덜스, VA, 십월 20, 2020 — GeneSiC, 6.5kV 실리콘 카바이드 MOSFET을 출시하여 전례없는 수준의 성능을 제공하는 데 앞장서고 있습니다., 견인과 같은 고압 전력 변환 애플리케이션의 효율성 및 신뢰성, 펄스 전력 및 스마트 그리드 인프라.
GeneSiC 반도체, 광범위한 실리콘 카바이드의 선구자이자 글로벌 공급 업체 (SiC) 전력 반도체, 오늘 6.5kV SiC MOSFET 베어 칩 – G2R300MT65-CAL 및 G2R325MS65-CAL의 즉각적인 가용성 발표. 이 기술을 활용 한 전체 SiC 모듈이 곧 출시 될 예정입니다.. 응용 프로그램에는 견인력이 포함될 것으로 예상됩니다., 펄스 전력, 스마트 그리드 인프라 및 기타 고압 전력 변환기.
G2R300MT65-CAL – 6.5kV 300mΩ G2R ™ SiC MOSFET 베어 칩
G2R325MS65-CAL – 6.5kV 325mΩ G2R ™ SiC MOSFET (통합 쇼트 키) 베어 칩
G2R100MT65-CAL – 6.5kV 100mΩ G2R ™ SiC MOSFET 베어 칩
GeneSiC의 혁신은 SiC 이중 주입 금속 산화물 반도체를 특징으로합니다. (DMOSFET) 접합 장벽 쇼트 키가있는 장치 구조 (JBS) SiC DMOSFET 단위 셀에 통합 된 정류기. 이 첨단 전력 장치는 차세대 전력 변환 시스템의 다양한 전력 변환 회로에 사용될 수 있습니다.. 다른 중요한 이점으로는보다 효율적인 양방향 성능이 있습니다., 온도 독립 스위칭, 낮은 스위칭 및 전도 손실, 냉각 요구 사항 감소, 우수한 장기 신뢰성, 병렬 장치의 용이성과 비용 이점. GeneSiC의 기술은 우수한 성능을 제공하며 전력 변환기에서 순 SiC 재료 풋 프린트를 줄일 수있는 잠재력도 가지고 있습니다..
“GeneSiC의 6.5kV SiC MOSFET은 낮은 온 스테이트 저항을 실현하기 위해 6 인치 웨이퍼에 설계 및 제작되었습니다., 최상의 품질, 우수한 가격 대비 성능 지수. 이 차세대 MOSFET 기술은 탁월한 성능을 약속합니다., 중전 압 전력 변환 애플리케이션에서 우수한 견고성과 장기적 신뢰성.” 말했다 박사. 시드 다스 순 다레 산, GeneSiC Semiconductor의 기술 부사장.
GeneSiC의 6.5kV G2R ™ SiC MOSFET 기술 특징 –
- 높은 눈사태 (UIS) 및 단락 견고성
- 우수한 Q지 x RDS(의 위에) 공로의 인물
- 온도 독립적 스위칭 손실
- 낮은 정전 용량 및 낮은 게이트 전하
- 모든 온도에서 낮은 손실
- 최대 175 ° C까지 정상 꺼짐 안정적인 작동
- +20 V / -5 V 게이트 드라이브
데이터 시트 및 기타 리소스, 방문 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip 또는 연락 sales@genesicsemi.com
GeneSiC Semiconductor 정보, Inc.
GeneSiC Semiconductor는 실리콘 카바이드 기술의 선구자이자 세계적인 리더입니다., 또한 고전력 실리콘 기술에 투자했습니다.. 산업 및 방위 시스템의 글로벌 선두 제조업체는 GeneSiC의 기술에 의존하여 제품의 성능과 효율성을 높입니다.. GeneSiC의 전자 부품은 더 차갑게 작동합니다., 더 빨리, 더 경제적으로, 다양한 고전력 시스템에서 에너지 절약에 중요한 역할을합니다.. 광대역 갭 전력 장치 기술에 대한 선도적 인 특허 보유; 더 많이 도달 할 것으로 예상되는 시장 $1 억 2022. 우리의 핵심 역량은 고객에게 더 많은 가치를 더하는 것입니다.’ 최종 제품. 당사의 성능 및 비용 지표는 탄화규소 산업의 표준을 설정하고 있습니다..
