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에 대한 검색 결과:
사이리스터
고전력 게이트 드라이버 보드
전류 이득을 특징으로 하는 빠르게 성숙하는 SiC 접합 트랜지스터 (NS) > 130, 차단 전압 최대 2700 V 및 안정적인 장기 운영
250 ° C 작동에 최적화 된 실리콘 카바이드 접합 트랜지스터 및 쇼트 키 정류기
정적 및 스위칭 특성 1200 온칩 쇼트키 정류기가 통합된 V SiC 접합 트랜지스터
AN-10A 구동 SiC 접합 트랜지스터 (SJT) 기성 실리콘 IGBT 게이트 드라이버 포함: 단일 레벨 드라이브 개념
AN-10B 구동 SiC 접합 트랜지스터 (SJT): 2단계 게이트 드라이브 개념
이중 펄스 스위칭 보드
저전력 게이트 드라이버 보드
1200 V급 4H-SiC “감독자” 전류 이득을 갖는 접합 트랜지스터 88 및 초고속 스위칭 기능
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