십일월, 2011 –
획기적인 고온 성능을 제공하는 SiC "수퍼"접합 트랜지스터
전력 전자 기술
이월, 2012 –
SiC: 주목해야 할 견고한 전력 반도체 화합물
보도의 전력 시스템 (페이지 44)
이월, 2012 –
실리콘 카바이드 사이리스터, 스마트 그리드 혁명 안내
화합물 반도체 매거진 (페이지 33)
행진, 2012 –
SiC 전자: 고온 약속 활용
Bodo의 전력 시스템, GeneSiC의 편집 기사 게시 (페이지 16)
유월 19, 2013 –
새로운 SiC 스위치 구동 및 사용
SiC 스위치 구동 – Compound Semiconductor Magazine에서 (페이지 41)
칠월 29, 2013 –
SJT는 IGBT 드라이버 호환 작동을 제공합니다.
Power Electronics Europe News
Semiconductor Today
Compound Semiconductor
IEEE PELS 매거진
망치다 1, 2015 –
실리콘 카바이드 장치로 고온 작동에 대한 약속 충족