How2Power
11 월 14, 2014 – 1200-V 및 1700V SiC 접합 트랜지스터는 SiC MOSFET 및 실리콘 IGBT에 도전하도록 배치되었습니다.
전자 지정자
11 월 25, 2014 – 업계 최저 손실 스위치를 위해 제공되는 전자 지정자 설계 지원
IEEE PELS 매거진
망치다 1, 2015 – IEEE PELS Magazine Fulfilling the Promise of High Temperature Operation with Silicon Carbide Devices
컴파운드 세미 온라인
할 수있다 14, 2015 – GeneSiC, SiC 접합 트랜지스터 다이오드 제공 시작
TTI 마켓 아이
4 월 22, 2015 – APEC의 GaN 및 SiC 전력 장치 프레젠테이션
