AN-10A 구동 SiC 접합 트랜지스터 (SJT) 기성 실리콘 IGBT 게이트 드라이버 포함: 단일 레벨 드라이브 개념
AN-10B 구동 SiC 접합 트랜지스터 (SJT): 2단계 게이트 드라이브 개념
이중 펄스 스위칭 보드
이중 펄스 스위칭 보드
고전력 게이트 드라이버 보드
고전력 게이트 드라이버 보드
저전력 게이트 드라이버 보드
저전력 게이트 드라이버 보드
1200 V급 4H-SiC “감독자” 전류 이득을 갖는 접합 트랜지스터 88 및 초고속 스위칭 기능
200 V SiC "Super" 접합 트랜지스터에서 작동 250 전력 변환 애플리케이션을 위한 극도로 낮은 에너지 손실의 °C
SiC의 고온 가능성 활용
SiC의 고온 가능성 활용
실리콘 카바이드 “감독자” 500°C에서 작동하는 접합 트랜지스터
실리콘 카바이드 “감독자” 500°C에서 작동하는 접합 트랜지스터