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GeneSiCの業界をリードする6.5kVSiC MOSFET – アプリケーションの新しい波の先駆者

6.5kV SiC MOSFET

ダレス, VA, 10月 20, 2020 — GeneSiCは6.5kV炭化ケイ素MOSFETをリリースし、前例のないレベルのパフォーマンスを提供することで最前線をリードします, トラクションなどの中電圧電力変換アプリケーションの効率と信頼性, パルスパワーとスマートグリッドインフラストラクチャ.

ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体, 本日、6.5kV SiC MOSFETベアチップ–G2R300MT65-CALおよびG2R325MS65-CALの即時提供を発表しました. この技術を利用した完全なSiCモジュールがまもなくリリースされます. アプリケーションには牽引力が含まれることが期待されます, パルスパワー, スマートグリッドインフラストラクチャおよびその他の中電圧電力変換器.

G2R300MT65-CAL –6.5kV300mΩG2R™SiCMOSFETベアチップ

G2R325MS65-CAL –6.5kV325mΩG2R™SiC MOSFET (統合ショットキー付き) ベアチップ

G2R100MT65-CAL –6.5kV100mΩG2R™SiCMOSFETベアチップ

GeneSiCのイノベーションは、SiC二重注入金属酸化物半導体を特徴としています (DMOSFET) 接合バリアショットキーを備えたデバイス構造 (JBS) SiCDMOSFETユニットセルに統合された整流器. この最先端の電力デバイスは、次世代の電力変換システムのさまざまな電力変換回路で使用できます。. その他の重要な利点には、より効率的な双方向パフォーマンスが含まれます, 温度に依存しないスイッチング, 低スイッチングおよび伝導損失, 冷却要件の削減, 優れた長期信頼性, デバイスの並列化の容易さとコストメリット. GeneSiCのテクノロジーは、優れたパフォーマンスを提供し、電力変換器の正味のSiC材料フットプリントを削減する可能性もあります。.

“GeneSiCの6.5kVSiC MOSFETは、低いオン状態抵抗を実現するために6インチウェーハ上に設計および製造されています。, 最高品質, と優れた価格性能指数. この次世代MOSFET技術は、模範的な性能を約束します, 中電圧電力変換アプリケーションにおける優れた耐久性と長期信頼性。” 前記 博士. シドダース・スンダレサン, GeneSiCSemiconductorの技術担当副社長.

GeneSiCの6.5kVG2R™SiCMOSFETテクノロジーの特徴 –

  • 高雪崩 (UIS) と短絡の頑丈さ
  • 優れたQG x RDS(オン) 性能指数
  • 温度に依存しないスイッチング損失
  • 低静電容量と低ゲート電荷
  • すべての温度で低損失
  • 175°Cまでのノーマルオフ安定動作
  • +20 V / -5 Vゲートドライブ

データシートおよびその他のリソース用, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip またはお問い合わせ sales@genesicsemi.com

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.

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GeneSiCは、炭化ケイ素サイリスタベースのデバイスの開発に向けて、ARPA-Eから253万ドルを獲得しました

ダレス, VA, 9月 28, 2010 –先端研究プロジェクト庁–エネルギー (ARPA-E) 新規の超高電圧炭化ケイ素の開発に向けて、GeneSiCSemiconductor主導のチームと協力協定を締結しました (SiC) サイリスタベースのデバイス. これらのデバイスは、大規模な風力発電所と太陽光発電所を次世代のスマートグリッドに統合するための重要なイネーブラーになると期待されています.

「このGeneSiCに対する非常に競争力のある賞により、マルチkVシリコンカーバイドテクノロジーにおける技術的リーダーシップの地位を拡大することができます。, ソリッドステートソリューションを使用したグリッドスケールの代替エネルギーソリューションへの取り組み,」とコメントしました. ランヴィール・シン, GeneSiCの社長. 「私たちが開発しているマルチkVSiCサイリスタは、フレキシブルAC伝送システムの実現に向けた重要な実現技術です。 (事実) 要素と高電圧DC (HVDC) 統合に向けて想定されるアーキテクチャ, 効率的, 未来のスマートグリッド. GeneSiCのSiCベースのサイリスタは10倍高い電圧を提供します, 100従来のシリコンベースのサイリスタと比較して、FACTSおよびHVDC電力処理ソリューションでのXより高速なスイッチング周波数とより高い温度動作。」

4月中 2010, GeneSiCは、電力技術のアジャイルデリバリーに対応しました (ADEPT) コストを削減しながら既存の電力変換器の性能を飛躍させる可能性のある高電圧スイッチの根本的な進歩のための材料に投資しようとしたARPA-Eからの要請. 「中電圧電力変換用のシリコンカーバイドアノードスイッチドサイリスタ」というタイトルの会社の提案は、軽量を提供するために選択されました, 固体の状態, ソリッドステート変電所や風力タービン発電機などの高電力アプリケーション向けの中電圧エネルギー変換. これらの高度なパワー半導体技術を導入することで、 25-30 電力供給の効率を高めることによる電力消費のパーセント削減. 選ばれたイノベーションは、米国を支援し促進することでした. 技術的リーダーシップによるビジネス, 非常に競争の激しいプロセスを通じて.

炭化ケイ素は、従来のシリコンよりもはるかに優れた特性を備えた次世代の半導体材料です。, たとえば、300ºCの高温で10倍の電圧、100倍の電流を処理する能力などです。. これらの特性により、ハイブリッド車や電気自動車などの高出力アプリケーションに最適です。, 再生可能エネルギー (風と太陽) インストール, および電気グリッド制御システム.

その超高電圧は今では十分に確立されています (>10kV) 炭化ケイ素 (SiC) デバイス技術は、次世代のユーティリティグリッドで革命的な役割を果たします. サイリスタベースのSiCデバイスは、 >5 kVデバイス, 故障電流制限器のような中電圧電力変換回路に広く適用できます, AC-DCコンバーター, 静的VAR補償装置および直列補償装置. SiCベースのサイリスタは、従来の電力グリッド要素と類似しているため、早期採用の可能性も最も高くなります。. これらのデバイスの他の有望なアプリケーションと利点は次のとおりです。:

  • 将来の海軍能力の下で求められる中電圧DC変換のための電力管理および電力調整システム (FNC) アメリカ海軍の, 電磁発射システム, 高エネルギー兵器システムと医用画像. 10〜100倍高い動作周波数機能により、前例のないサイズの改善が可能になります, 重さ, ボリュームと最終的に, そのようなシステムのコスト.
  • さまざまなエネルギー貯蔵, 高温および高エネルギー物理学アプリケーション. 世界がより効率的で費用効果の高いエネルギー管理ソリューションに焦点を合わせているため、エネルギー貯蔵および電力網アプリケーションはますます注目を集めています。.

GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急速に出現しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス.

“広範な製造スイートを備えたデバイスおよびプロセス設計のコアコンピタンスを活用することにより、超高電圧SiCテクノロジーのリーダーとして浮上しました。, 特性評価, およびテスト施設,」は博士を結論付けます. シン. 「GeneSiCの立場は、この重要な後続賞により、米国のDOEによって効果的に検証されました。」

GeneSiC Semiconductorについて

ワシントンの近くに戦略的に位置しています, ダレスのDC, バージニア, GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス. 現在の開発プロジェクトには、高温整流器が含まれます, スーパージャンクショントランジスタ (SJT) さまざまなサイリスタベースのデバイス. GeneSiCは、主要な米国政府機関からのプライム/サブコントラクトを持っているか、持っていました。, エネルギー省を含む, 海軍, 軍, DARPA, 国土安全保障省. 同社は現在、大幅な成長を遂げています, パワーデバイスと検出器の設計に資格のある人員を雇う, 製作, とテスト. 詳細については, ニュースwww.genesicsemi.com.