ダレス, VA, 10月 20, 2020 — GeneSiCは6.5kV炭化ケイ素MOSFETをリリースし、前例のないレベルのパフォーマンスを提供することで最前線をリードします, トラクションなどの中電圧電力変換アプリケーションの効率と信頼性, パルスパワーとスマートグリッドインフラストラクチャ.
ニュース, 幅広い炭化ケイ素のパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体, 本日、6.5kV SiC MOSFETベアチップ–G2R300MT65-CALおよびG2R325MS65-CALの即時提供を発表しました. この技術を利用した完全なSiCモジュールがまもなくリリースされます. アプリケーションには牽引力が含まれることが期待されます, パルスパワー, スマートグリッドインフラストラクチャおよびその他の中電圧電力変換器.
G2R300MT65-CAL –6.5kV300mΩG2R™SiCMOSFETベアチップ
G2R325MS65-CAL –6.5kV325mΩG2R™SiC MOSFET (統合ショットキー付き) ベアチップ
G2R100MT65-CAL –6.5kV100mΩG2R™SiCMOSFETベアチップ
GeneSiCのイノベーションは、SiC二重注入金属酸化物半導体を特徴としています (DMOSFET) 接合バリアショットキーを備えたデバイス構造 (JBS) SiCDMOSFETユニットセルに統合された整流器. この最先端の電力デバイスは、次世代の電力変換システムのさまざまな電力変換回路で使用できます。. その他の重要な利点には、より効率的な双方向パフォーマンスが含まれます, 温度に依存しないスイッチング, 低スイッチングおよび伝導損失, 冷却要件の削減, 優れた長期信頼性, デバイスの並列化の容易さとコストメリット. GeneSiCのテクノロジーは、優れたパフォーマンスを提供し、電力変換器の正味のSiC材料フットプリントを削減する可能性もあります。.
“GeneSiCの6.5kVSiC MOSFETは、低いオン状態抵抗を実現するために6インチウェーハ上に設計および製造されています。, 最高品質, と優れた価格性能指数. この次世代MOSFET技術は、模範的な性能を約束します, 中電圧電力変換アプリケーションにおける優れた耐久性と長期信頼性。” 前記 博士. シドダース・スンダレサン, GeneSiCSemiconductorの技術担当副社長.
GeneSiCの6.5kVG2R™SiCMOSFETテクノロジーの特徴 –
- 高雪崩 (UIS) と短絡の頑丈さ
- 優れたQG x RDS(オン) 性能指数
- 温度に依存しないスイッチング損失
- 低静電容量と低ゲート電荷
- すべての温度で低損失
- 175°Cまでのノーマルオフ安定動作
- +20 V / -5 Vゲートドライブ
データシートおよびその他のリソース用, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip またはお問い合わせ sales@genesicsemi.com
GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.
GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.
