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G3R™ 750V SiC MOSFET は比類のない性能と信頼性を提供します

750V G3R SiC MOSFET

ダレス, VA, 六月 04, 2021 — GeneSiC の次世代 750V G3R™SiC MOSFET は、前例のないレベルのパフォーマンスを提供します, 対応するものを超える堅牢性と品質. システムの利点には、動作温度での低オン状態の低下が含まれます, より速いスイッチング速度, 電力密度の増加, 最小限のリンギング (低EMI) コンパクトなシステムサイズ. GeneSiCのG3R™, 最適化された低インダクタンスのディスクリートパッケージで提供 (SMDとスルーホール), すべての動作条件と超高速スイッチング速度で最小の電力損失で動作するように最適化されています. これらのデバイスは、最新の SiC MOSFET と比較して大幅に優れたパフォーマンス レベルを備えています。.

750V G3R SiC MOSFET

「高効率のエネルギー利用は、次世代電力コンバーターにおいて重要な成果物となり、SiCパワーデバイスは、この革命を推進する重要なコンポーネントであり続けます. 何年にもわたる開発作業を経て、最小のオン状態抵抗と堅牢な短絡およびアバランシェ性能を達成, 業界最高の性能を誇る 750V SiC MOSFET をリリースできることを嬉しく思います。. 当社の G3R™ により、パワー エレクトロニクス設計者は困難な効率に対応できます。, ソーラー インバーターなどのアプリケーションでの電力密度と品質目標, EV車載充電器、サーバー・テレコム電源. 保証された品質, 迅速なターンアラウンドと自動車認定の大量生産に支えられ、価値提案をさらに強化. ” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.

特徴 –

  • 業界最小のゲートチャージ (QG) および内部ゲート抵抗 (RG(知性))
  • 最低RDS(オン) 温度によって変化する
  • 低出力容量 (C我ら) とマイラー静電容量 (CGD)
  • 100% 雪崩 (UIL) 生産中にテスト済み
  • 業界トップの短絡耐量
  • 低 V で高速で信頼性の高いボディ ダイオードF と低いQRR
  • 高く安定したゲート閾値電圧 (VTH) すべての温度およびドレイン バイアス条件にわたって
  • 低熱抵抗と低リンギングのための高度なパッケージ技術
  • Rの製造均一性DS(オン), VTH と降伏電圧 (BV)
  • 包括的な製品ポートフォリオと、自動車認定の大量生産によるより安全なサプライ チェーン

アプリケーション –

  • 太陽 (PV) インバーター
  • EV / HEV車載充電器
  • サーバ & テレコム電源
  • 無停電電源装置 (UPS)
  • DC-DCコンバーター
  • スイッチモード電源 (SMPS)
  • エネルギー貯蔵とバッテリー充電
  • 誘導加熱

GeneSiCSemiconductorのすべてのSiCMOSFETは、自動車用途を対象としています (AEC-q101) およびPPAP対応.

G3R60MT07J – 750V 60mΩ TO-263-7 G3R&SiC MOSFETの取引

G3R60MT07K – 750V 60mΩ TO-247-4 G3R&SiC MOSFETの取引

G3R60MT07D – 750V 60mΩ TO-247-3 G3R&SiC MOSFETの取引

データシートおよびその他のリソース用, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/ またはお問い合わせ sales@genesicsemi.com

すべてのデバイスは、正規代理店を通じて購入できます – www.genesicsemi.com/sales-support

Digi-Key Electronics

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マウザーエレクトロニクス

アローエレクトロニクス

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.

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GeneSiCが一流のRを獲得&SiCベースのモノリシックトランジスタ-整流器スイッチに対するD100賞

ダレス, VA, 12月 5, 2019 — R&DMagazineはGeneSiCSemiconductorIncを選択しました. ダレスの, 一流の受信者としてのVA 2019 R&D 100 鬼ごっこ.

GeneSiC Semiconductor Inc, 鬼ごっこ 2019 R&D 100 アワード. この賞は、最も重要なものの1つを紹介したGeneSiCを表彰するものです。, 中に複数の分野で新たに導入された研究開発の進歩 2018. R&鬼ごっこ. GeneSiCのデバイスによって実現されるこれらの機能により、パワーエレクトロニクスの研究者は、インバーターやDC-DCコンバーターなどの次世代のパワーエレクトロニクスシステムを開発することができます。. これにより、電気自動車内での製品開発が可能になります, 充電インフラ, 再生可能エネルギーおよびエネルギー貯蔵産業. GeneSiCは、これらのデバイスを使用した高度なパワーエレクトロニクスハードウェアのデモンストレーションに向けて複数の顧客からの注文を予約し、シリコンカーバイドMOSFET製品のファミリを開発し続けています。. R&電力変換アプリケーションの初期バージョンのDは、米国部門を通じて開発されました. エネルギーとサンディア国立研究所とのコラボレーション.

Rが運営する毎年恒例のテクノロジーコンペティション&D Magazineは、さまざまな企業や業界のプレーヤーからのエントリーを評価しました, 世界中の研究機関や大学. 雑誌の編集者と外部の専門家のパネルが審査員を務めました, 科学と研究の世界にとっての重要性の観点から各エントリを評価する.

Rによると&Dマガジン, Rを獲得する&D 100 賞は、業界に知られている卓越性のマークを提供します, 政府, 製品が今年の最も革新的なアイデアの1つであることの証拠としての学界. この賞は、GeneSiCが、私たちの働き方や生活に違いをもたらすテクノロジーベースの製品の作成におけるグローバルリーダーとして認められています。.

GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.

GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急速に出現しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス. GeneSiC Semiconductor Inc. 炭化ケイ素を開発 (SiC) ベースの高温用半導体デバイス, 放射線, および電力網アプリケーション. これには、整流器の開発が含まれます, FET, 双極デバイスおよび粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCは、広範な半導体設計スイートにアクセスできます, 製作, そのようなデバイスの特性評価およびテスト設備. GeneSiCは、デバイスとプロセスの設計におけるコアコンピテンシーを利用して、お客様に最適なSiCデバイスを開発します. 同社は、各顧客の要件に合わせて特別に調整された高品質の製品を提供することで差別化を図っています. GeneSiCはARPA-Eを含む主要な米国政府機関からのプライム/サブ契約を持っています, 米国エネルギー省, 海軍, DARPA, 国土安全保障省, 商務省および米国内の他の部門. 防衛の. GeneSiCは、ダレスの設備と人的インフラを急速に強化し続けています, バージニア施設. 同社は、化合物半導体デバイスの製造経験を持つ人材を積極的に採用している, 半導体試験および検出器設計. 会社とその製品に関する追加情報は、GeneSiCに電話して入手できます。 703-996-8200 または訪問することによりwww.genesicsemi.com.

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GeneSiCは、炭化ケイ素サイリスタベースのデバイスの開発に向けて、ARPA-Eから253万ドルを獲得しました

ダレス, VA, 9月 28, 2010 –先端研究プロジェクト庁–エネルギー (ARPA-E) 新規の超高電圧炭化ケイ素の開発に向けて、GeneSiCSemiconductor主導のチームと協力協定を締結しました (SiC) サイリスタベースのデバイス. これらのデバイスは、大規模な風力発電所と太陽光発電所を次世代のスマートグリッドに統合するための重要なイネーブラーになると期待されています.

「このGeneSiCに対する非常に競争力のある賞により、マルチkVシリコンカーバイドテクノロジーにおける技術的リーダーシップの地位を拡大することができます。, ソリッドステートソリューションを使用したグリッドスケールの代替エネルギーソリューションへの取り組み,」とコメントしました. ランヴィール・シン, GeneSiCの社長. 「私たちが開発しているマルチkVSiCサイリスタは、フレキシブルAC伝送システムの実現に向けた重要な実現技術です。 (事実) 要素と高電圧DC (HVDC) 統合に向けて想定されるアーキテクチャ, 効率的, 未来のスマートグリッド. GeneSiCのSiCベースのサイリスタは10倍高い電圧を提供します, 100従来のシリコンベースのサイリスタと比較して、FACTSおよびHVDC電力処理ソリューションでのXより高速なスイッチング周波数とより高い温度動作。」

4月中 2010, GeneSiCは、電力技術のアジャイルデリバリーに対応しました (ADEPT) コストを削減しながら既存の電力変換器の性能を飛躍させる可能性のある高電圧スイッチの根本的な進歩のための材料に投資しようとしたARPA-Eからの要請. 「中電圧電力変換用のシリコンカーバイドアノードスイッチドサイリスタ」というタイトルの会社の提案は、軽量を提供するために選択されました, 固体の状態, ソリッドステート変電所や風力タービン発電機などの高電力アプリケーション向けの中電圧エネルギー変換. これらの高度なパワー半導体技術を導入することで、 25-30 電力供給の効率を高めることによる電力消費のパーセント削減. 選ばれたイノベーションは、米国を支援し促進することでした. 技術的リーダーシップによるビジネス, 非常に競争の激しいプロセスを通じて.

炭化ケイ素は、従来のシリコンよりもはるかに優れた特性を備えた次世代の半導体材料です。, たとえば、300ºCの高温で10倍の電圧、100倍の電流を処理する能力などです。. これらの特性により、ハイブリッド車や電気自動車などの高出力アプリケーションに最適です。, 再生可能エネルギー (風と太陽) インストール, および電気グリッド制御システム.

その超高電圧は今では十分に確立されています (>10kV) 炭化ケイ素 (SiC) デバイス技術は、次世代のユーティリティグリッドで革命的な役割を果たします. サイリスタベースのSiCデバイスは、 >5 kVデバイス, 故障電流制限器のような中電圧電力変換回路に広く適用できます, AC-DCコンバーター, 静的VAR補償装置および直列補償装置. SiCベースのサイリスタは、従来の電力グリッド要素と類似しているため、早期採用の可能性も最も高くなります。. これらのデバイスの他の有望なアプリケーションと利点は次のとおりです。:

  • 将来の海軍能力の下で求められる中電圧DC変換のための電力管理および電力調整システム (FNC) アメリカ海軍の, 電磁発射システム, 高エネルギー兵器システムと医用画像. 10〜100倍高い動作周波数機能により、前例のないサイズの改善が可能になります, 重さ, ボリュームと最終的に, そのようなシステムのコスト.
  • さまざまなエネルギー貯蔵, 高温および高エネルギー物理学アプリケーション. 世界がより効率的で費用効果の高いエネルギー管理ソリューションに焦点を合わせているため、エネルギー貯蔵および電力網アプリケーションはますます注目を集めています。.

GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急速に出現しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス.

“広範な製造スイートを備えたデバイスおよびプロセス設計のコアコンピタンスを活用することにより、超高電圧SiCテクノロジーのリーダーとして浮上しました。, 特性評価, およびテスト施設,」は博士を結論付けます. シン. 「GeneSiCの立場は、この重要な後続賞により、米国のDOEによって効果的に検証されました。」

GeneSiC Semiconductorについて

ワシントンの近くに戦略的に位置しています, ダレスのDC, バージニア, GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス. 現在の開発プロジェクトには、高温整流器が含まれます, スーパージャンクショントランジスタ (SJT) さまざまなサイリスタベースのデバイス. GeneSiCは、主要な米国政府機関からのプライム/サブコントラクトを持っているか、持っていました。, エネルギー省を含む, 海軍, 軍, DARPA, 国土安全保障省. 同社は現在、大幅な成長を遂げています, パワーデバイスと検出器の設計に資格のある人員を雇う, 製作, とテスト. 詳細については, ニュースwww.genesicsemi.com.