ダレス, VA, 12月 4, 2020 — GeneSiCは、比類のない小型化を実現するために最適化された、業界をリードする3300Vおよび1700VディスクリートSiCMOSFETの発売を発表しました。, 産業用ハウスキーピングパワーの信頼性とエネルギー節約.
ニュース, シリコンカーバイドの包括的なポートフォリオのパイオニアでありグローバルサプライヤー (SiC) パワー半導体, 本日、次世代の3300Vおよび1700V1000mΩSiCMOSFET–G2R1000MT17Jの即時発売を発表しました, G2R1000MT17D, およびG2R1000MT33J. これらのSiCMOSFETは、優れた性能レベルを可能にします, フラッグシップ性能指数に基づく (FoM) エネルギー貯蔵全体の電力システムを強化および簡素化する, 再生可能エネルギー, 産業用モーター, 汎用インバーターと産業用照明. リリースされた製品は:
G2R1000MT33J –3300V1000mΩTO-263-7SiC MOSFET
G2R1000MT17D –1700V1000mΩTO-247-3SiC MOSFET
G2R1000MT17J –1700V1000mΩTO-263-7SiC MOSFET
G3R450MT17D –1700V450mΩTO-247-3SiC MOSFET
G3R450MT17J –1700V450mΩTO-263-7SiC MOSFET
GeneSiCの新しい3300Vおよび1700VSiC MOSFET, 1000mΩおよび450mΩオプションでSMDおよびスルーホールディスクリートパッケージとして利用可能, 高い効率レベルと超高速スイッチング速度を必要とする電力システム設計向けに高度に最適化されています. これらのデバイスは、競合製品と比較して大幅に優れたパフォーマンスレベルを備えています. 保証された品質, 迅速なターンアラウンドの大量生産によってサポートされ、その価値提案をさらに強化します.
「1500Vソーラーインバーターのようなアプリケーションでは, 補助電源のMOSFETは、2500Vの範囲の電圧に耐える必要がある場合があります, 入力電圧に応じて, トランスの巻数比と出力電圧. 高絶縁破壊電圧MOSFETは、フライバックで直列接続されたスイッチの必要性を排除します, ブーストおよびフォワードコンバーターにより、部品点数が削減され、回路の複雑さが軽減されます. GeneSiCの3300Vおよび1700VディスクリートSiCMOSFETにより、設計者はよりシンプルなシングルスイッチベースのトポロジを使用できると同時に、信頼性の高いものを顧客に提供できます。, コンパクトで費用効果の高いシステム” スミット・ジャダフは言った, GeneSiCSemiconductorのシニアアプリケーションマネージャー.
特徴 –
- 優れた価格性能指数
- フラッグシップQG x RDS(オン) 性能指数
- 低い固有容量と低いゲート電荷
- すべての温度で低損失
- 高いアバランシェと短絡の耐久性
- 175°Cまでの通常オフの安定した動作のためのベンチマークしきい値電圧
アプリケーション –
- 再生可能エネルギー (ソーラーインバーター) とエネルギー貯蔵
- 産業用モーター (と絆)
- 汎用インバーター
- 産業用照明
- ピエゾドライバー
- イオンビーム発生器
すべてのデバイスは、正規代理店を通じて購入できます – www.genesicsemi.com/sales-support
データシートおよびその他のリソース用, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet またはお問い合わせ sales@genesicsemi.com
GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.
GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.
