ダレス, VA, 9月 28, 2010 –先端研究プロジェクト庁–エネルギー (ARPA-E) 新規の超高電圧炭化ケイ素の開発に向けて、GeneSiCSemiconductor主導のチームと協力協定を締結しました (SiC) サイリスタベースのデバイス. これらのデバイスは、大規模な風力発電所と太陽光発電所を次世代のスマートグリッドに統合するための重要なイネーブラーになると期待されています.
「このGeneSiCに対する非常に競争力のある賞により、マルチkVシリコンカーバイドテクノロジーにおける技術的リーダーシップの地位を拡大することができます。, ソリッドステートソリューションを使用したグリッドスケールの代替エネルギーソリューションへの取り組み,」とコメントしました. ランヴィール・シン, GeneSiCの社長. 「私たちが開発しているマルチkVSiCサイリスタは、フレキシブルAC伝送システムの実現に向けた重要な実現技術です。 (事実) 要素と高電圧DC (HVDC) 統合に向けて想定されるアーキテクチャ, 効率的, 未来のスマートグリッド. GeneSiCのSiCベースのサイリスタは10倍高い電圧を提供します, 100従来のシリコンベースのサイリスタと比較して、FACTSおよびHVDC電力処理ソリューションでのXより高速なスイッチング周波数とより高い温度動作。」
4月中 2010, GeneSiCは、電力技術のアジャイルデリバリーに対応しました (ADEPT) コストを削減しながら既存の電力変換器の性能を飛躍させる可能性のある高電圧スイッチの根本的な進歩のための材料に投資しようとしたARPA-Eからの要請. 「中電圧電力変換用のシリコンカーバイドアノードスイッチドサイリスタ」というタイトルの会社の提案は、軽量を提供するために選択されました, 固体の状態, ソリッドステート変電所や風力タービン発電機などの高電力アプリケーション向けの中電圧エネルギー変換. これらの高度なパワー半導体技術を導入することで、 25-30 電力供給の効率を高めることによる電力消費のパーセント削減. 選ばれたイノベーションは、米国を支援し促進することでした. 技術的リーダーシップによるビジネス, 非常に競争の激しいプロセスを通じて.
炭化ケイ素は、従来のシリコンよりもはるかに優れた特性を備えた次世代の半導体材料です。, たとえば、300ºCの高温で10倍の電圧、100倍の電流を処理する能力などです。. これらの特性により、ハイブリッド車や電気自動車などの高出力アプリケーションに最適です。, 再生可能エネルギー (風と太陽) インストール, および電気グリッド制御システム.
その超高電圧は今では十分に確立されています (>10kV) 炭化ケイ素 (SiC) デバイス技術は、次世代のユーティリティグリッドで革命的な役割を果たします. サイリスタベースのSiCデバイスは、 >5 kVデバイス, 故障電流制限器のような中電圧電力変換回路に広く適用できます, AC-DCコンバーター, 静的VAR補償装置および直列補償装置. SiCベースのサイリスタは、従来の電力グリッド要素と類似しているため、早期採用の可能性も最も高くなります。. これらのデバイスの他の有望なアプリケーションと利点は次のとおりです。:
- 将来の海軍能力の下で求められる中電圧DC変換のための電力管理および電力調整システム (FNC) アメリカ海軍の, 電磁発射システム, 高エネルギー兵器システムと医用画像. 10〜100倍高い動作周波数機能により、前例のないサイズの改善が可能になります, 重さ, ボリュームと最終的に, そのようなシステムのコスト.
- さまざまなエネルギー貯蔵, 高温および高エネルギー物理学アプリケーション. 世界がより効率的で費用効果の高いエネルギー管理ソリューションに焦点を合わせているため、エネルギー貯蔵および電力網アプリケーションはますます注目を集めています。.
GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急速に出現しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス.
“広範な製造スイートを備えたデバイスおよびプロセス設計のコアコンピタンスを活用することにより、超高電圧SiCテクノロジーのリーダーとして浮上しました。, 特性評価, およびテスト施設,」は博士を結論付けます. シン. 「GeneSiCの立場は、この重要な後続賞により、米国のDOEによって効果的に検証されました。」
GeneSiC Semiconductorについて
ワシントンの近くに戦略的に位置しています, ダレスのDC, バージニア, GeneSiC Semiconductor Inc. は、高温における主要なイノベーターです。, 高出力および超高電圧の炭化ケイ素 (SiC) デバイス. 現在の開発プロジェクトには、高温整流器が含まれます, スーパージャンクショントランジスタ (SJT) さまざまなサイリスタベースのデバイス. GeneSiCは、主要な米国政府機関からのプライム/サブコントラクトを持っているか、持っていました。, エネルギー省を含む, 海軍, 軍, DARPA, 国土安全保障省. 同社は現在、大幅な成長を遂げています, パワーデバイスと検出器の設計に資格のある人員を雇う, 製作, とテスト. 詳細については, ニュースwww.genesicsemi.com.
