ダレス, VA, 1月 7, 2019 — GeneSiCは、TO-247-2パッケージの第3世代1700V SiCショットキーMPS™ダイオードの包括的なポートフォリオをリリースします
GeneSiCはGB05MPS17-247を導入しました, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247およびGB50MPS17-247; 人気の高いTO-247-2スルーホールパッケージで利用可能な業界最高性能の1700V SiCダイオード. これらの1700V SiCダイオードは、シリコンベースの超高速リカバリダイオードやその他の旧世代の1700V SiC JBSに代わるものです, エンジニアがより高い効率とより高い電力密度でスイッチング回路を構築できるようにする. アプリケーションには、電気自動車の急速充電器が含まれることが期待されています, モータードライブ, 輸送用電源と再生可能エネルギー.
GB50MPS17-247は、1700V 50A SiCマージされたPiNショットキーダイオードです。, 業界最高の電流定格ディスクリートSiCパワーダイオード. これらの新しくリリースされたダイオードは、低い順方向電圧降下を特長としています, ゼロ順方向回復, ゼロ逆回復, ジャンクション容量が低く、定格動作温度は最大175°C. GeneSiCの第3世代SiCショットキーダイオード技術は、業界をリードするアバランシェの耐久性とサージ電流を提供します (ifsm) 堅牢性, 高品質の自動車用6インチファウンドリと高度な高信頼性ディスクリートアセンブリテクノロジーを組み合わせ.
これらのSiCダイオードは、TO-247-2パッケージで利用可能な他のダイオードのピン互換性のある直接の代替品です。. 電力損失が少ないことのメリット (クーラー操作) および高周波スイッチング機能, 設計者は、設計の変換効率と電力密度を向上させることができます.
GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.
GeneSiCは、SiCパワーデバイスの分野で急速に出現しているイノベーターであり、炭化ケイ素の開発に強いコミットメントを持っています (SiC) ベースのデバイス: (a) パワーグリッド向けHV-HF SiCデバイス, パルスパワーと指向性エネルギー兵器; そして (b) 航空機アクチュエータおよび石油探査用の高温SiCパワーデバイス. GeneSiC Semiconductor Inc. 炭化ケイ素を開発 (SiC) ベースの高温用半導体デバイス, 放射線, および電力網アプリケーション. これには、整流器の開発が含まれます, FET, 双極デバイスおよび粒子 & フォトニック検出器. GeneSiCは、広範な半導体設計スイートにアクセスできます, 製作, そのようなデバイスの特性評価およびテスト設備. GeneSiCは、デバイスとプロセスの設計におけるコアコンピテンシーを利用して、お客様に最適なSiCデバイスを開発します. 同社は、各顧客の要件に合わせて特別に調整された高品質の製品を提供することで差別化を図っています. GeneSiCはARPA-Eを含む主要な米国政府機関からのプライム/サブ契約を持っています, 米国エネルギー省, 海軍, DARPA, 国土安全保障省, 商務省および米国内の他の部門. 防衛の. GeneSiCは、ダレスの設備と人的インフラを急速に強化し続けています, バージニア施設. 同社は、化合物半導体デバイスの製造経験を持つ人材を積極的に採用している, 半導体試験および検出器設計. 会社とその製品に関する追加情報は、GeneSiCに電話して入手できます。 703-996-8200 または訪問することによりwww.genesicsemi.com.
