ダレス, VA, 2月 12, 2020 — GeneSiCSemiconductorのRDSを備えた次世代1200VG3R™SiCMOSFET(オン) からの範囲のレベル 20 mΩから 350 mΩは前例のないレベルのパフォーマンスを提供します, 対応するものを超える堅牢性と品質. システムの利点には、より高い効率が含まれます, より速いスイッチング周波数, 電力密度の増加, リンギングの減少 (EMI) コンパクトなシステムサイズ.
GeneSiCは、業界をリードする性能を備えた、業界をリードする第3世代炭化ケイ素MOSFETの発売を発表しました。, 自動車および産業用アプリケーションでこれまでにないレベルの効率とシステムの信頼性を活用するための堅牢性と品質.
これらのG3R™SiCMOSFET, 最適化された低インダクタンスのディスクリートパッケージで提供 (SMDとスルーホール), 高い効率レベルと超高速スイッチング速度を必要とする電力システム設計向けに高度に最適化されています. これらのデバイスは、競合製品と比較して大幅に優れたパフォーマンスレベルを備えています. 保証された品質, 迅速なターンアラウンドの大量生産に支えられて、その価値提案をさらに強化します.
「何年にもわたる開発作業の後、最小のオン状態抵抗と強化された短絡性能の達成に向けて取り組んでいます, 業界最高のパフォーマンスを発揮する1200VSiCMOSFETをリリースできることを嬉しく思います。 15+ ディスクリートおよびベアチップ製品. 次世代のパワーエレクトロニクスシステムが困難な効率に対応する場合, 自動車などのアプリケーションにおける電力密度と品質の目標, 産業, 再生可能エネルギー, 交通手段, ITとテレコム, その場合、現在利用可能なSiC MOSFETと比較して、大幅に改善されたデバイス性能と信頼性が必要です。” 博士は言った. ランヴィール・シン, GeneSiCセミコンダクターの社長.
特徴 –
- 優れたQG x RDS(オン) 性能指数 – G3R™SiCMOSFETは、非常に低いゲート電荷で業界最低のオン状態抵抗を特長としています, 結果として 20% 他の同様の競合デバイスよりも優れた性能指数
- すべての温度で低い伝導損失 – GeneSiCのMOSFETは、オン状態抵抗の温度依存性が最も低く、すべての温度で非常に低い導通損失を提供します。; 市場に出回っている他のどのトレンチおよびプレーナSiCMOSFETよりも大幅に優れています
- 100 % 雪崩テスト済み – 堅牢なUIL機能は、ほとんどのフィールドアプリケーションにとって重要な要件です。. GeneSiCの1200VSiCMOSFETディスクリートは 100 % 雪崩 (UIL) 生産中にテスト済み
- 低ゲート電荷と低内部ゲート抵抗 – これらのパラメータは、超高速スイッチングを実現し、最高の効率を達成するために重要です。 (低Eon-Eoff) 幅広いアプリケーションスイッチング周波数にわたって
- 175°Cまでのノーマルオフ安定動作 – GeneSiCのすべてのSiCMOSFETは、最新のプロセスで設計および製造されており、誤動作のリスクがなく、すべての動作条件で安定性と信頼性の高い製品を提供します。. これらのデバイスの優れたゲート酸化物品質は、しきい値を防ぎます (VTH) ドリフト
- デバイスの静電容量が小さい – G3R™は、デバイスの静電容量が小さいため、より高速かつ効率的に駆動するように設計されています– Ciss, CossとCrss
- 固有電荷が低く、高速で信頼性の高いボディダイオード – GeneSiCのMOSFETは、ベンチマークの低い逆回復電荷を特徴としています (QRR) すべての温度で; 30% 同様に評価された競合デバイスよりも優れています. これにより、電力損失がさらに削減され、動作周波数が向上します。
- 使いやすさ – G3R™SiCMOSFETは、+ 15Vで駆動するように設計されています / -5Vゲートドライブ. これにより、既存の商用IGBTおよびSiCMOSFETゲートドライバーとの幅広い互換性が提供されます
アプリケーション –
- 電気自動車 – パワートレインと充電
- ソーラーインバーターとエネルギー貯蔵
- 産業用モータードライブ
- 無停電電源装置 (UPS)
- スイッチモード電源 (SMPS)
- 双方向DC-DCコンバータ
- スマートグリッドとHVDC
- 誘導加熱および溶接
- パルスパワーアプリケーション
すべてのデバイスは、正規代理店を通じて購入できます – www.genesicsemi.com/sales-support
データシートおよびその他のリソース用, 訪問 – www.genesicsemi.com/sic-mosfet またはお問い合わせ sales@genesicsemi.com
GeneSiCSemiconductorのすべてのSiCMOSFETは、自動車用途を対象としています (AEC-q101) およびPPAP対応. すべてのデバイスは業界標準のD2PAKで提供されます, TO-247およびSOT-227パッケージ.
GeneSiC Semiconductorについて, 株式会社.
GeneSiC Semiconductorは、炭化ケイ素技術のパイオニアであり、世界のリーダーです。, ハイパワーシリコン技術にも投資しながら. 産業および防衛システムの世界的な大手メーカーは、製品のパフォーマンスと効率を高めるためにGeneSiCのテクノロジーに依存しています. GeneSiCの電子部品はより低温で動作します, もっと早く, そしてより経済的に, さまざまな高電力システムでエネルギーを節約する上で重要な役割を果たします. ワイドバンドギャップパワーデバイス技術に関する主要な特許を保有しています; 以上に達すると予測される市場 $1 十億 2022. 私たちのコアコンピタンスは、お客様により多くの価値を付加することです’ 最終製品. 当社のパフォーマンスとコストの指標は、炭化ケイ素業界の基準を設定しています.