11月, 2011 –
SiC「スーパー」接合トランジスタは画期的な高温性能を提供します
パワーエレクトロニクス技術
2月, 2012 –
SiC: 頑丈なパワー半導体コンパウンド
ボドのパワーシステム (Pg 44)
2月, 2012 –
スマートグリッド革命の到来を告げる炭化ケイ素サイリスタ
化合物半導体マガジン (Pg 33)
行進, 2012 –
SiC Electronics: 高温の約束を利用する
Bodo の Power System が GeneSiC のエディトリアル記事を公開 (Pg 16)
六月 19, 2013 –
新しい SiC スイッチの駆動と使用
SiCスイッチの駆動 – 化合物半導体マガジンから (Pg 41)
7月 29, 2013 –
SJTはIGBTドライバーと互換性のある動作を提供します
パワーエレクトロニクスヨーロッパニュース
9月 5, 2013 –
GeneSiCのSJTは、他のSiCスイッチよりも全体的な損失が少ないと述べています
今日の半導体
10月 28, 2014 –
GeneSiCの発売が改善されました, より低いオン抵抗1700Vおよび1200VSiC接合トランジスタ
化合物半導体
10月 28, 2014 –
SiC スイッチは、低伝導損失と優れた短絡機能を提供します。
IEEE PELS Magazine
3月 1, 2015 –
炭化ケイ素デバイスによる高温動作の約束の実現