超高速のSiC「スーパー」接合トランジスタ (< 15 ns) スイッチング機能
4H-SiCBJTの電流利得とアバランシェモード動作の安定性の特性評価
4H-SiCBJTの電流利得とアバランシェモード動作の安定性の特性評価
10 kV SiC BJT – 静的, スイッチング特性と信頼性特性
10 kV SiC BJT – 静的, スイッチング特性と信頼性特性
電流利得を特徴とする急速に成熟するSiC接合トランジスタ (NS) > 130, 最大のブロッキング電圧 2700 Vと安定した長期運用
250°C動作用に最適化された炭化ケイ素接合トランジスタとショットキー整流器
の静的およびスイッチング特性 1200 の静的およびスイッチング特性
の静的およびスイッチング特性 1200 の静的およびスイッチング特性
AN-10A駆動SiCジャンクショントランジスタ (SJT) 既製のシリコンIGBTゲートドライバ付き: シングルレベルドライブコンセプト
AN-10B駆動SiCジャンクショントランジスタ (SJT): 2レベルゲートドライブの概念
ダブルパルススイッチングボード
ダブルパルススイッチングボード
ハイパワーゲートドライバーボード
ハイパワーゲートドライバーボード