9月 5, 2013 –
GeneSiCのSJTは、他のSiCスイッチよりも全体的な損失が少ないと述べています
今日の半導体
10月 28, 2014 –
GeneSiCの発売が改善されました, より低いオン抵抗1700Vおよび1200VSiC接合トランジスタ
化合物半導体
10月 28, 2014 –
SiC スイッチは、低伝導損失と優れた短絡機能を提供します。
IEEE PELS Magazine
3月 1, 2015 –
炭化ケイ素デバイスによる高温動作の約束の実現
How2Power
Electronicspecifier
11月 25, 2014 – Electronicspecifier
Design support offered for industry’s lowest loss switches
IEEE PELS Magazine
3月 1, 2015 – IEEE PELS Magazine
炭化ケイ素デバイスによる高温動作の約束の実現
コンパウンドセミオンライン
五月 14, 2015 –
GeneSiCがSiC接合トランジスタ-ダイオードの提供を開始