DULLI, VA, novembre 1, 2010 –In una prima offerta nel suo genere, GeneSiC Semiconductor annuncia la disponibilità di una famiglia di tiristori in carburo di silicio in modalità SCR da 6,5 kV da utilizzare nell'elettronica di potenza per applicazioni Smart Grid. Si prevede che i vantaggi rivoluzionari delle prestazioni di questi dispositivi di alimentazione stimoleranno innovazioni chiave nell'hardware dell'elettronica di potenza su larga scala per aumentare l'accessibilità e lo sfruttamento delle risorse energetiche distribuite (IL). "Finora, carburo di silicio multi-kV (SiC) i dispositivi di potenza non erano apertamente a disposizione dei ricercatori statunitensi per sfruttare appieno i noti vantaggi, vale a dire frequenze operative di 2-10kHz con valori nominali di 5-15kV, dei dispositivi di potenza basati su SiC. ha commentato Dr. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC. “GeneSiC ha recentemente completato la consegna di molti 6.5kV/40A, 6.5Tiristori kV/60A e 6,5kV/80A a più clienti che conducono ricerche nel campo delle energie rinnovabili, Applicazioni del sistema di alimentazione dell'esercito e della marina. I dispositivi SiC con queste valutazioni vengono ora offerti in modo più ampio".
I tiristori a base di carburo di silicio offrono una tensione 10 volte superiore, 100X frequenze di commutazione più veloci e funzionamento a temperature più elevate rispetto ai tradizionali tiristori a base di silicio. Le opportunità di ricerca di applicazioni mirate per questi dispositivi includono la conversione di potenza a media tensione per uso generale (MVDC), Inverter solari collegati alla rete, inverter eolici, potenza pulsata, sistemi d'arma, controllo dell'accensione, e controllo del grilletto. È ormai assodato che il voltaggio ultra alto (>10kV) Carburo di silicio (SiC) la tecnologia dei dispositivi giocherà un ruolo rivoluzionario nella rete elettrica di prossima generazione. I dispositivi SiC basati su tiristori offrono le massime prestazioni in stato on per >5 dispositivi kV, e sono ampiamente applicabili ai circuiti di conversione di potenza a media tensione come i limitatori di corrente di guasto, Convertitori AC-DC, Compensatori VAR statici e Compensatori di serie. I tiristori basati su SiC offrono anche le migliori possibilità di adozione anticipata grazie alle loro somiglianze con gli elementi della rete elettrica convenzionali. L'implementazione di queste tecnologie avanzate dei semiconduttori di potenza potrebbe fornire tanto quanto a 25-30 riduzione percentuale del consumo di elettricità grazie a una maggiore efficienza nella fornitura di energia elettrica.
Dott. Singh continua “Si prevede che i mercati su larga scala delle sottostazioni elettriche a stato solido e dei generatori di turbine eoliche si apriranno dopo che i ricercatori nell'arena della conversione di potenza avranno realizzato appieno i vantaggi dei tiristori SiC. Questi tiristori SiC di prima generazione utilizzano la caduta di tensione allo stato on e le resistenze on differenziali più basse mai ottenute nei tiristori SiC. Intendiamo rilasciare le future generazioni di tiristori SiC ottimizzati per la capacità di spegnimento controllato da gate e >10valori kV. Mentre continuiamo a sviluppare soluzioni di imballaggio ad altissima tensione ad alta temperatura, gli attuali tiristori da 6,5 kV sono confezionati in moduli con contatti completamente saldati, limitato a temperature di giunzione di 150oC.” GeneSiC è un innovatore emergente veloce nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera.
Situato vicino a Washington, DC a Dulles, Virginia, GeneSiC Semiconductor Inc. è un innovatore leader nel settore delle alte temperature, carburo di silicio ad alta potenza e altissima tensione (SiC) dispositivi. Gli attuali progetti di sviluppo includono raddrizzatori ad alta temperatura, Transistor a supergiunzione (SJT) e un'ampia varietà di dispositivi basati su tiristori. GeneSiC ha o ha avuto prime / subappalti da importanti agenzie governative degli Stati Uniti, compreso il Dipartimento dell'Energia, Marina Militare, Esercito, DARPA, e il Dipartimento per la sicurezza interna. L'azienda sta attualmente vivendo una crescita sostanziale, e l'assunzione di personale qualificato nella progettazione di dispositivi di alimentazione e rilevatori, fabbricazione, e test. Scoprire di più, per favore visita www.genesicsemi.com.
