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MOSFET SiC da 6,5 ​​kV leader del settore di GeneSiC – l'avanguardia per una nuova ondata di applicazioni

6.5MOSFET SiC kV

DULLI, VA, ottobre 20, 2020 — GeneSiC rilascia MOSFET in carburo di silicio da 6,5 ​​kV per essere all'avanguardia nella fornitura di livelli di prestazioni senza precedenti, efficienza e affidabilità nelle applicazioni di conversione di potenza a media tensione come la trazione, energia pulsata e infrastrutture smart grid.

Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza, annuncia oggi la disponibilità immediata di chip nudi MOSFET SiC a 6,5 ​​kV - G2R300MT65-CAL e G2R325MS65-CAL. Presto verranno rilasciati moduli SiC completi che utilizzano questa tecnologia. Le applicazioni dovrebbero includere la trazione, potenza pulsata, infrastrutture per reti intelligenti e altri convertitori di potenza a media tensione.

G2R300MT65-CAL - Chip nudo MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV 300 mΩ

G2R325MS65-CAL - MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV e 325 mΩ (con Schottky integrato) Chip nudo

G2R100MT65-CAL - Chip nudo MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV 100 mΩ

L'innovazione di GeneSiC prevede un semiconduttore di ossido di metallo a doppio impianto SiC (DMOSFET) struttura del dispositivo con una barriera di giunzione schottky (JBS) raddrizzatore integrato nella cella dell'unità SiC DMOSFET. Questo dispositivo di potenza all'avanguardia può essere utilizzato in una varietà di circuiti di conversione di potenza nella prossima generazione di sistemi di conversione di potenza. Altri vantaggi significativi includono prestazioni bidirezionali più efficienti, commutazione indipendente dalla temperatura, basse perdite di commutazione e conduzione, requisiti di raffreddamento ridotti, affidabilità a lungo termine superiore, facilità di collegamento in parallelo di dispositivi e vantaggi in termini di costi. La tecnologia di GeneSiC offre prestazioni superiori e ha anche il potenziale per ridurre l'impronta netta del materiale SiC nei convertitori di potenza.

“I MOSFET SiC da 6,5 ​​kV di GeneSiC sono progettati e fabbricati su wafer da 6 pollici per realizzare una bassa resistenza allo stato attivo, la miglior qualità, e indice di prezzo-prestazione superiore. Questa tecnologia MOSFET di nuova generazione promette prestazioni esemplari, robustezza superiore e affidabilità a lungo termine nelle applicazioni di conversione di potenza a media tensione.” disse Dott. Siddarth Sundaresan, VP of Technology presso GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche della tecnologia MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 ​​kV di GeneSiC –

  • Valanga alta (UIS) e robustezza di corto circuito
  • Superior QG x RDS(SU) persona di merito
  • Perdite di commutazione indipendenti dalla temperatura
  • Basse capacità e bassa carica di gate
  • Basse perdite a tutte le temperature
  • Funzionamento stabile normalmente spento fino a 175 ° C
  • +20 V / -5 V gate drive

Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip o contattare sales@genesicsemi.com

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.

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GeneSiC rilascia l'MPS Schottky SiC da 1700V con le migliori prestazioni del settore™ diodi

DULLI, VA, gennaio 7, 2019 — GeneSiC rilascia un portafoglio completo dei suoi diodi Schottky MPS™ SiC 1700V di terza generazione nel pacchetto TO-247-2

GeneSiC ha introdotto GB05MPS17-247, GB10MPS17-247, GB25MPS17-247 e GB50MPS17-247; i diodi SiC da 1700 V con le migliori prestazioni del settore disponibili nel popolare pacchetto a foro passante TO-247-2. Questi diodi SiC da 1700 V sostituiscono i diodi a recupero ultrarapido a base di silicio e altri JBS SiC da 1700 V di vecchia generazione, consentendo agli ingegneri di costruire circuiti di commutazione con maggiore efficienza e maggiore densità di potenza. Le applicazioni dovrebbero includere caricabatterie veloci per veicoli elettrici, azionamenti a motore, forniture di energia per i trasporti ed energie rinnovabili.

GB50MPS17-247 è un diodo 1700V 50A SiC-PiN-schottky unito, il diodo di potenza SiC discreto con la corrente nominale più alta del settore. Questi diodi appena rilasciati sono caratterizzati da una bassa caduta di tensione diretta, recupero in avanti zero, recupero inverso zero, bassa capacità di giunzione e sono classificati per una temperatura di esercizio massima di 175°C. La tecnologia a diodi schottky SiC di terza generazione di GeneSiC offre robustezza da valanga e sovracorrente leader del settore (Ifsm) robustezza, combinato con fonderia da 6 pollici qualificata automobilistica di alta qualità e tecnologia avanzata di assemblaggio discreto ad alta affidabilità.

Questi diodi SiC sono sostituzioni dirette compatibili con i pin di altri diodi disponibili nel pacchetto TO-247-2. Beneficiando delle loro minori perdite di potenza (funzionamento più fresco) e capacità di commutazione ad alta frequenza, i progettisti possono ora ottenere una maggiore efficienza di conversione e una maggiore densità di potenza nei progetti.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera. GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa. GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.