DULLI, VA, ottobre 20, 2020 — GeneSiC rilascia MOSFET in carburo di silicio da 6,5 kV per essere all'avanguardia nella fornitura di livelli di prestazioni senza precedenti, efficienza e affidabilità nelle applicazioni di conversione di potenza a media tensione come la trazione, energia pulsata e infrastrutture smart grid.
Semiconduttore GeneSiC, Vai agli archivi della categoria News (SiC) semiconduttori di potenza, annuncia oggi la disponibilità immediata di chip nudi MOSFET SiC a 6,5 kV - G2R300MT65-CAL e G2R325MS65-CAL. Presto verranno rilasciati moduli SiC completi che utilizzano questa tecnologia. Le applicazioni dovrebbero includere la trazione, potenza pulsata, infrastrutture per reti intelligenti e altri convertitori di potenza a media tensione.
G2R300MT65-CAL - Chip nudo MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 kV 300 mΩ
G2R325MS65-CAL - MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 kV e 325 mΩ (con Schottky integrato) Chip nudo
G2R100MT65-CAL - Chip nudo MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 kV 100 mΩ
L'innovazione di GeneSiC prevede un semiconduttore di ossido di metallo a doppio impianto SiC (DMOSFET) struttura del dispositivo con una barriera di giunzione schottky (JBS) raddrizzatore integrato nella cella dell'unità SiC DMOSFET. Questo dispositivo di potenza all'avanguardia può essere utilizzato in una varietà di circuiti di conversione di potenza nella prossima generazione di sistemi di conversione di potenza. Altri vantaggi significativi includono prestazioni bidirezionali più efficienti, commutazione indipendente dalla temperatura, basse perdite di commutazione e conduzione, requisiti di raffreddamento ridotti, affidabilità a lungo termine superiore, facilità di collegamento in parallelo di dispositivi e vantaggi in termini di costi. La tecnologia di GeneSiC offre prestazioni superiori e ha anche il potenziale per ridurre l'impronta netta del materiale SiC nei convertitori di potenza.
“I MOSFET SiC da 6,5 kV di GeneSiC sono progettati e fabbricati su wafer da 6 pollici per realizzare una bassa resistenza allo stato attivo, la miglior qualità, e indice di prezzo-prestazione superiore. Questa tecnologia MOSFET di nuova generazione promette prestazioni esemplari, robustezza superiore e affidabilità a lungo termine nelle applicazioni di conversione di potenza a media tensione.” disse Dott. Siddarth Sundaresan, VP of Technology presso GeneSiC Semiconductor.
Caratteristiche della tecnologia MOSFET SiC G2R ™ da 6,5 kV di GeneSiC –
- Valanga alta (UIS) e robustezza di corto circuito
- Superior QG x RDS(SU) persona di merito
- Perdite di commutazione indipendenti dalla temperatura
- Basse capacità e bassa carica di gate
- Basse perdite a tutte le temperature
- Funzionamento stabile normalmente spento fino a 175 ° C
- +20 V / -5 V gate drive
Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet/bare-chip o contattare sales@genesicsemi.com
Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.
