DULLI, VA, dicembre 4, 2020 — GeneSiC annuncia la disponibilità di MOSFET SiC discreti da 3300 V e 1700 V leader di settore ottimizzati per ottenere una miniaturizzazione senza precedenti, affidabilità e risparmio energetico nel potere di manutenzione industriale.
Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di un portafoglio completo di carburo di silicio (SiC) semiconduttori di potenza, annuncia oggi la disponibilità immediata dei MOSFET SiC da 3300 V e 1700 V 1000 mΩ di nuova generazione - G2R1000MT17J, G2R1000MT17D, e G2R1000MT33J. Questi MOSFET SiC consentono livelli di prestazioni superiori, basato su figure di merito di punta (FoM) che migliorano e semplificano i sistemi di alimentazione attraverso l'accumulo di energia, energia rinnovabile, motori industriali, inverter per uso generale e illuminazione industriale. I prodotti rilasciati sono:
G2R1000MT33J - MOSFET SiC da 3300 V 1000 mΩ TO-263-7
G2R1000MT17D - MOSFET SiC da 1700 V 1000 mΩ TO-247-3
G2R1000MT17J - MOSFET SiC da 1700 V 1000 mΩ TO-263-7
G3R450MT17D - MOSFET SiC 1700 V 450 mΩ TO-247-3
G3R450MT17J - MOSFET SiC da 1700 V 450 mΩ TO-263-7
I nuovi MOSFET SiC da 3300 V e 1700 V di GeneSiC, disponibile nelle opzioni da 1000 mΩ e 450 mΩ come contenitori discreti SMD e Through-Hole, sono altamente ottimizzati per progetti di sistemi di alimentazione che richiedono livelli di efficienza elevati e velocità di commutazione ultraveloci. Questi dispositivi hanno livelli di prestazioni sostanzialmente migliori rispetto ai prodotti concorrenti. Una qualità assicurata, supportata da una produzione ad alto volume di turn-around rapida migliora ulteriormente la loro proposta di valore.
“In applicazioni come inverter solari da 1500V, il MOSFET nell'alimentazione ausiliaria potrebbe dover sopportare tensioni nel range di 2500V, a seconda della tensione di ingresso, gira il rapporto del trasformatore e la tensione di uscita. I MOSFET ad alta tensione di breakdown eliminano la necessità di interruttori collegati in serie in Flyback, Convertitori Boost e Forward riducendo così il numero di parti e riducendo la complessità del circuito. I MOSFET SiC discreti da 3300 V e 1700 V di GeneSiC consentono ai progettisti di utilizzare una più semplice topologia basata su interruttore singolo e allo stesso tempo di fornire ai clienti un affidabile, sistema compatto ed economico” disse Sumit Jadav, Senior Applications Manager presso GeneSiC Semiconductor.
Caratteristiche –
- Indice di qualità-prezzo superiore
- Ammiraglia QG x RDS(SU) persona di merito
- Bassa capacità intrinseca e bassa carica di gate
- Basse perdite a tutte le temperature
- Elevata robustezza da valanga e corto circuito
- Tensione di soglia di riferimento per un funzionamento stabile normalmente spento fino a 175 ° C
Applicazioni –
- Energia rinnovabile (inverter solari) e accumulo di energia
- Motori industriali (e legame)
- Inverter per impieghi generali
- Illuminazione industriale
- Driver piezo
- Generatori di fasci ionici
Tutti i dispositivi sono disponibili per l'acquisto tramite distributori autorizzati – www.genesicsemi.com/sales-support
Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet o contattare sales@genesicsemi.com
Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.
