GeneSiC Semiconductor Inc, un innovatore chiave nei dispositivi di potenza a base di carburo di silicio è stato premiato la scorsa settimana con l'annuncio di aver ricevuto il prestigioso 2011 R&D 100 Premio. Questo premio riconosce GeneSiC per aver introdotto uno dei più significativi, la ricerca e lo sviluppo di nuova introduzione nel corso di molteplici discipline 2010. R&D Magazine ha riconosciuto il tiristore SiC ad altissima tensione di GeneSiC per la sua capacità di ottenere tensioni e frequenze di blocco mai utilizzate prima per le dimostrazioni di elettronica di potenza. I valori di tensione di >6.5kV, corrente nominale in stato di 80 A e frequenze operative di >5 i kHz sono molto più alti di quelli precedentemente introdotti sul mercato. Queste capacità raggiunte dai Thyristors di GeneSiC consentono ai ricercatori di elettronica di potenza di sviluppare inverter collegati alla rete, Flessibile
Sistemi di trasmissione CA (FATTI) e sistemi ad alta tensione CC (HVDC). Ciò consentirà nuove invenzioni e sviluppi di prodotti nell'ambito delle energie rinnovabili, inverter solari, inverter eolici, e industrie di stoccaggio dell'energia. Dott. Ranbir Singh, Il presidente di GeneSiC Semiconductor ha commentato: "Si prevede che i mercati su larga scala delle sottostazioni elettriche a stato solido e dei generatori di turbine eoliche si apriranno dopo che i ricercatori nell'arena della conversione di potenza avranno realizzato appieno i vantaggi dei tiristori SiC. Questi tiristori SiC di prima generazione utilizzano la caduta di tensione allo stato on e le resistenze on differenziali più basse mai ottenute nei tiristori SiC. Intendiamo rilasciare le future generazioni di tiristori SiC ottimizzati per la capacità di spegnimento controllato dal cancello e la capacità di alimentazione a impulsi e >10valori kV. Mentre continuiamo a sviluppare soluzioni di imballaggio ad altissima tensione ad alta temperatura, gli attuali tiristori da 6,5 kV sono confezionati in moduli con contatti completamente saldati, limitato a temperature di giunzione di 150oC.” Dal momento che questo prodotto è stato lanciato in ottobre 2010, GeneSiC ha prenotato ordini da più clienti per la dimostrazione di hardware avanzato per l'elettronica di potenza utilizzando questi tiristori in carburo di silicio. GeneSiC continua a sviluppare la sua famiglia di prodotti a tiristori in carburo di silicio. La R&D sulla prima versione per le applicazioni di conversione di potenza è stata sviluppata grazie al supporto finanziario SBIR del Dipartimento degli Stati Uniti. di energia. Più avanzato, I tiristori SiC ottimizzati a potenza pulsata sono in fase di sviluppo nell'ambito di un altro contratto SBIR con ARDEC, Esercito degli Stati Uniti. Utilizzando questi sviluppi tecnici, investimento interno da GeneSiC e ordini commerciali da più clienti, GeneSiC è stata in grado di offrire questi tiristori UHV come prodotti commerciali.
Il 49° concorso tecnologico annuale organizzato da R&D Magazine ha valutato i lavori di varie aziende e attori del settore, organizzazioni di ricerca e università in tutto il mondo. I redattori della rivista e una giuria di esperti esterni sono stati giudici, valutare ogni voce in termini di importanza per il mondo della scienza e della ricerca.
Secondo R&D Magazine, vincere una R&D 100 Award fornisce un marchio di eccellenza noto all'industria, governo, e il mondo accademico a riprova che il prodotto è una delle idee più innovative dell'anno. Questo premio riconosce GeneSiC come leader globale nella creazione di prodotti basati sulla tecnologia che fanno la differenza nel modo in cui lavoriamo e viviamo.
Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera. GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa. GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.
