postato su

5Diodi Schottky MPS ™ SiC da 650 V di generazione per la migliore efficienza della categoria

Gen5 650V SiC Schottky MPS™

DULLI, VA, Maggio 28, 2021 — Semiconduttore GeneSiC, un pioniere e fornitore globale di carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore di potenza, annuncia la disponibilità della 5a generazione (GE*** serie) Raddrizzatori SiC Schottky MPS™ che stanno stabilendo un nuovo punto di riferimento con il loro indice di qualità prezzo superiore, Corrente di picco leader del settore e robustezza da valanga, e produzione di alta qualità.

“GeneSiC è stato uno dei primi produttori di SiC a fornire commercialmente raddrizzatori SiC Schottky in 2011. Dopo oltre un decennio di fornitura di raddrizzatori SiC ad alte prestazioni e di alta qualità nel settore, siamo entusiasti di rilasciare la nostra quinta generazione di SiC Schottky MPS™ (PiN unito-Schottky) diodi che offrono prestazioni leader del settore in tutti gli aspetti per soddisfare gli obiettivi di alta efficienza e densità di potenza in applicazioni come alimentatori per server/telecomunicazioni e caricabatterie. La caratteristica rivoluzionaria che rende la nostra quinta generazione (GE*** serie) I diodi SiC Schottky MPS™ si distinguono tra i suoi pari per la bassa tensione incorporata (noto anche come tensione al ginocchio);consente perdite di conduzione del diodo più basse in tutte le condizioni di carico, cruciale per applicazioni che richiedono un utilizzo energetico ad alta efficienza. A differenza di altri diodi SiC della concorrenza progettati anche per offrire caratteristiche di basso ginocchio, un'ulteriore caratteristica dei nostri progetti di diodi Gen5 è che mantengono ancora quell'alto livello di valanghe (UIL) robustezza che i nostri clienti si aspettano da Gen3 . di GeneSiC (GC*** serie) e Gen4 (GD*** serie) SiC Schottky MPS ™” disse il dott. Siddarth Sundaresan, Vicepresidente della tecnologia presso GeneSiC Semiconductor.

Caratteristiche –

  • Bassa tensione incorporata – Perdite di conduzione più basse per tutte le condizioni di carico
  • Figura di merito superiore – QC x VF
  • Prestazioni di prezzo ottimali
  • Capacità di sovracorrente migliorata
  • 100% Valanga (UIL) Testato
  • Bassa resistenza termica per un funzionamento più freddo
  • Zero Forward e Recupero inverso
  • Commutazione veloce indipendente dalla temperatura
  • Coefficiente di temperatura positivo di VF

Applicazioni –

  • Diodo boost nella correzione del fattore di potenza (PFC)
  • Alimentatori per server e telecomunicazioni
  • Inverter solari
  • Gruppi di continuità (UPS)
  • Caricabatterie
  • A ruota libera / Diodo antiparallelo negli inverter

GE04MPS06E – 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06E – 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06E – 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06E – 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS™

GE04MPS06A – 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE06MPS06A – 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE08MPS06A – 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE10MPS06A – 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE12MPS06A – 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS™

GE2X8MPS06D – 650V 2x8A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

GE2X10MPS06D – 650V 2x10A TO-247-3 SiC Schottky MPS™

Tutti i dispositivi sono disponibili per l'acquisto tramite distributori autorizzati – www.genesicsemi.com/sales-support

Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-schottky-mps/ o contattare sales@genesicsemi.com

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.

postato su

650V capace di alta corrente, 1200Diodi Schottky MPS ™ SiC V e 1700V in contenitore mini-modulo SOT-227

DULLI, VA, Maggio 11, 2019 — GeneSiC diventa un leader di mercato in capacità ad alta corrente (100 A e 200 UN) Diodi Schottky SiC nel mini modulo SOT-227

GeneSiC ha introdotto GB2X50MPS17-227, GC2X50MPS06-227 e GC2X100MPS06-227; diodi Schottky SiC da 650 V e 1700 V con la più alta corrente del settore, aggiunta al portafoglio esistente di mini-moduli a diodi schottky SiC da 1200 V: GB2X50MPS12-227 e GB2X100MPS12-227. Questi diodi SiC sostituiscono i diodi a recupero ultrarapido a base di silicio, consentendo agli ingegneri di costruire circuiti di commutazione con maggiore efficienza e maggiore densità di potenza. Le applicazioni dovrebbero includere caricabatterie veloci per veicoli elettrici, azionamenti a motore, alimentatori per il trasporto, rettifica ad alta potenza e alimentatori industriali.

Oltre alla piastra di base isolata del pacchetto mini-modulo SOT-227, questi diodi appena rilasciati presentano una bassa caduta di tensione diretta, recupero in avanti zero, recupero inverso zero, bassa capacità di giunzione e sono classificati per una temperatura di esercizio massima di 175°C. La tecnologia a diodi schottky SiC di terza generazione di GeneSiC offre robustezza da valanga e sovracorrente leader del settore (Ifsm) robustezza, combinato con una fabbricazione automobilistica qualificata da 6 pollici di alta qualità e una tecnologia avanzata di assemblaggio discreto ad alta affidabilità.

Questi diodi SiC sono sostituzioni dirette compatibili con i pin di altri diodi disponibili nel SOT-227 (mini-modulo) pacchetto. Beneficiando delle loro minori perdite di potenza (funzionamento più fresco) e capacità di commutazione ad alta frequenza, i progettisti possono ora ottenere una maggiore efficienza di conversione e una maggiore densità di potenza nei progetti.

Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.

GeneSiC è un innovatore in rapida ascesa nell'area dei dispositivi di potenza SiC e ha un forte impegno nello sviluppo del carburo di silicio (SiC) dispositivi basati per: (un) Dispositivi HV-HF SiC per Rete Elettrica, Potenza pulsata e armi a energia diretta; e (b) Dispositivi di potenza SiC ad alta temperatura per attuatori aeronautici ed esplorazione petrolifera. GeneSiC Semiconductor Inc. sviluppa il carburo di silicio (SiC) dispositivi a semiconduttore basati per alte temperature, radiazione, e applicazioni per reti elettriche. Ciò include lo sviluppo di raddrizzatori, FET, dispositivi bipolari e particellare & rivelatori fotonici. GeneSiC ha accesso a un'ampia suite di progettazione di semiconduttori, fabbricazione, strutture di caratterizzazione e test per tali dispositivi. GeneSiC capitalizza la sua competenza principale nella progettazione di dispositivi e processi per sviluppare i migliori dispositivi SiC possibili per i propri clienti. L'azienda si distingue per la fornitura di prodotti di alta qualità che sono specificamente adattati alle esigenze di ogni cliente. GeneSiC ha prime/subappalti dalle principali agenzie governative degli Stati Uniti tra cui ARPA-E, Dipartimento dell'Energia degli Stati Uniti, Marina Militare, DARPA, Dipartimento per la sicurezza interna, Dipartimento del Commercio e altri dipartimenti all'interno del Dipartimento degli Stati Uniti. di Difesa. GeneSiC continua a migliorare rapidamente le attrezzature e l'infrastruttura del personale presso i suoi Dulles, Struttura della Virginia. L'azienda sta assumendo in modo aggressivo personale esperto nella fabbricazione di dispositivi semiconduttori composti, test di semiconduttori e progetti di rivelatori. Ulteriori informazioni sull'azienda e sui suoi prodotti possono essere ottenute chiamando GeneSiC all'indirizzo 703-996-8200 o visitandowww.genesicsemi.com.