DULLI, VA, febbraio 12, 2020 — MOSFET SiC G3R ™ da 1200 V di nuova generazione di GeneSiC Semiconductor con RDS(SU) livelli che vanno da 20 mΩ a 350 mΩ offre livelli di prestazioni senza precedenti, robustezza e qualità che supera le sue controparti. I vantaggi del sistema includono una maggiore efficienza, frequenza di commutazione più veloce, maggiore densità di potenza, squillo ridotto (EMI) e dimensioni del sistema compatte.
GeneSiC annuncia la disponibilità dei suoi MOSFET in carburo di silicio di terza generazione leader del settore che offrono prestazioni leader del settore, robustezza e qualità per sfruttare livelli di efficienza e affidabilità del sistema mai visti prima nelle applicazioni automobilistiche e industriali.
Questi MOSFET SiC G3R ™, offerto in pacchetti discreti a bassa induttanza ottimizzati (SMD e foro passante), sono altamente ottimizzati per progetti di sistemi di alimentazione che richiedono livelli di efficienza elevati e velocità di commutazione ultraveloci. Questi dispositivi hanno livelli di prestazioni sostanzialmente migliori rispetto ai prodotti concorrenti. Una qualità assicurata, supportato da un rapido turn-around di produzione ad alto volume migliora ulteriormente la loro proposta di valore.
“Dopo anni di lavoro di sviluppo per ottenere la più bassa resistenza allo stato on e migliori prestazioni di cortocircuito, siamo entusiasti di rilasciare i MOSFET SiC da 1200 V più performanti del settore con oltre 15+ prodotti a chip discreto e nudo. Se i sistemi di elettronica di potenza di prossima generazione devono soddisfare la sfida dell'efficienza, densità di potenza e obiettivi di qualità in applicazioni come l'automotive, industriale, energia rinnovabile, trasporto, IT e telecomunicazioni, quindi richiedono prestazioni e affidabilità del dispositivo notevolmente migliorate rispetto ai MOSFET SiC attualmente disponibili” disse il dott. Ranbir Singh, Presidente di GeneSiC Semiconductor.
Caratteristiche –
- Superior QG x RDS(SU) persona di merito – I MOSFET SiC G3R ™ presentano la resistenza allo stato on più bassa del settore con una carica di gate molto bassa, risultante in 20% figura di merito migliore di qualsiasi altro dispositivo concorrente simile
- Basse perdite di conduzione a tutte le temperature – I MOSFET di GeneSiC sono caratterizzati dalla più morbida dipendenza dalla temperatura della resistenza in stato on per offrire perdite di conduzione molto basse a tutte le temperature; significativamente migliore di qualsiasi altro MOSFET SiC da trincea e planare sul mercato
- 100 % testato in caso di valanga – La robusta capacità UIL è un requisito fondamentale per la maggior parte delle applicazioni sul campo. I MOSFET SiC da 1200 V di GeneSiC sono discreti 100 % valanga (UIL) testato durante la produzione
- Bassa carica del gate e bassa resistenza del gate interno – Questi parametri sono fondamentali per realizzare una commutazione ultraveloce e ottenere le massime efficienze (Eon -Eoff basso) su un'ampia gamma di frequenze di commutazione delle applicazioni
- Funzionamento stabile normalmente spento fino a 175 ° C – Tutti i MOSFET SiC di GeneSiC sono progettati e fabbricati con processi all'avanguardia per fornire prodotti stabili e affidabili in tutte le condizioni operative senza alcun rischio di malfunzionamento. La qualità superiore dell'ossido di gate di questi dispositivi impedisce qualsiasi soglia (VTH) deriva
- Capacità del dispositivo basse – I G3R ™ sono progettati per guidare più velocemente e in modo più efficiente con le loro basse capacità del dispositivo - Ciss, Coss e Crss
- Body diode veloce e affidabile con bassa carica intrinseca – I MOSFET di GeneSiC sono caratterizzati da una bassa carica di recupero inverso di riferimento (QRR) a tutte le temperature; 30% migliore di qualsiasi dispositivo della concorrenza con classificazione simile. Ciò offre un'ulteriore riduzione delle perdite di potenza e aumenta le frequenze operative
- Facilità di utilizzo – I MOSFET SiC G3R ™ sono progettati per essere pilotati a + 15V / -5V gate drive. Ciò offre la più ampia compatibilità con i gate driver IGBT commerciali esistenti e MOSFET SiC
Applicazioni –
- Veicolo elettrico – Apparato propulsore e ricarica
- Inverter solare e accumulo di energia
- Motorizzazione industriale
- Alimentazione ininterrotta (UPS)
- Alimentatore in modalità commutata (SMPS)
- Convertitori CC-CC bidirezionali
- Smart Grid e HVDC
- Riscaldamento e saldatura a induzione
- Applicazione di potenza pulsata
Tutti i dispositivi sono disponibili per l'acquisto tramite distributori autorizzati – www.genesicsemi.com/sales-support
Per schede tecniche e altre risorse, visita – www.genesicsemi.com/sic-mosfet o contattare sales@genesicsemi.com
Tutti i MOSFET SiC di GeneSiC Semiconductor sono destinati ad applicazioni automobilistiche (AEC-q101) e compatibile con PPAP. Tutti i dispositivi sono offerti nello standard di settore D2PAK, Pacchetti TO-247 e SOT-227.
Informazioni su GeneSiC Semiconductor, Inc.
GeneSiC Semiconductor è un pioniere e leader mondiale nella tecnologia del carburo di silicio, mentre ha anche investito in tecnologie al silicio ad alta potenza. I principali produttori mondiali di sistemi industriali e di difesa dipendono dalla tecnologia di GeneSiC per elevare le prestazioni e l'efficienza dei loro prodotti. I componenti elettronici di GeneSiC funzionano a temperature più basse, Più veloce, e più economicamente, e svolgono un ruolo chiave nella conservazione dell'energia in un'ampia gamma di sistemi ad alta potenza. Deteniamo i principali brevetti sulle tecnologie dei dispositivi di alimentazione a banda larga; un mercato che si prevede raggiungerà più di $1 miliardi di 2022. La nostra competenza principale è aggiungere più valore ai nostri clienti’ prodotto finale. Le nostre metriche di prestazioni e costi stabiliscono gli standard nel settore del carburo di silicio.
