Transistor a giunzione SiC a rapida maturazione con guadagno di corrente (b) > 130, Tensioni di blocco fino a 2700 V e funzionamento stabile a lungo termine
Transistor a giunzione in carburo di silicio e raddrizzatori Schottky ottimizzati per il funzionamento a 250°C
Caratteristiche statiche e di commutazione di 1200 Transistor a giunzione SiC V con raddrizzatori Schottky integrati su chip
Transistori di giunzione SiC pilota AN-10A (SJT) con driver per gate IGBT in silicio standard: Concetto di azionamento a un livello
1200 Classe V 4H-SiC “Super” Transistori di giunzione con guadagni di corrente di 88 e capacità di commutazione ultraveloce