postato su 2019-06-102020-05-11Caratteristiche statiche e di commutazione di 1200 Transistor a giunzione SiC V con raddrizzatori Schottky integrati su chip giu, 2014 Caratteristiche statiche e di commutazione di 1200 Transistor a giunzione SiC V con raddrizzatori Schottky integrati su chip