Transistor a giunzione "Super" SiC con Ultra-Fast (< 15 n.s) Capacità di commutazione
Caratterizzazione della stabilità del guadagno di corrente e del funzionamento in modalità valanga di BJT 4H-SiC
10 kV SiC BJT – statico, caratteristiche di commutazione e affidabilità
Transistor a giunzione SiC a rapida maturazione con guadagno di corrente (b) > 130, Tensioni di blocco fino a 2700 V e funzionamento stabile a lungo termine
Transistor a giunzione in carburo di silicio e raddrizzatori Schottky ottimizzati per il funzionamento a 250°C
Caratteristiche statiche e di commutazione di 1200 Transistor a giunzione SiC V con raddrizzatori Schottky integrati su chip
Transistori di giunzione SiC pilota AN-10A (SJT) con driver per gate IGBT in silicio standard: Concetto di azionamento a livello singolo
AN-10B per pilotare transistor a giunzione SiC (SJT): Concetto di gate drive a due livelli
Scheda di commutazione a doppio impulso
Scheda di commutazione a doppio impulso
Scheda driver gate ad alta potenza
Scheda driver gate ad alta potenza