הערות יישום:
- בקרוב
מאמרים טכניים:
התקני כוח מסיליקון-קרביד המתפתחים מאפשרים שינויים מהפכניים בהמרת חשמל במתח גבוה
אוקטובר, 2004התקני כוח מסיליקון-קרביד המתפתחים מאפשרים שינויים מהפכניים בהמרת חשמל במתח גבוה
אמינות של מכשירי SiC MOS
אוקטובר, 2004אמינות של מכשירי SiC MOS
חדשני SiC MOS-Bipolar מתגים עבור >10 יישומי kV
מאי, 2006חדשני SiC MOS-Bipolar מתגים עבור >10 יישומי kV
מגבלות אמינות וביצועים בהתקן כוח SiC
יוני, 2006מגבלות אמינות וביצועים בהתקני כוח SiC
DMOSFET 10 קילוואט שטח גדול 4H-SiC Power DMOSFET עם התנהגות תת-סף יציבה ללא תלות בטמפרטורה
אוגוסט, 2008DMOSFET 10 קילוואט שטח גדול 4H-SiC Power DMOSFET עם התנהגות תת-סף יציבה ללא תלות בטמפרטורה