הערות יישום:
Sorry, no posts were found.
מאמרים טכניים:
SiC “Super” Junction Transistors with Ultra-Fast (< 15 ns) Switching Capability
מאי, 2012 SiC “Super” Junction Transistors with Ultra-Fast (< 15 ns) Switching Capability
אפיון היציבות של רווח נוכחי ופעולת מצב מפולת של BJTs 4H-SiC
אוקטובר, 2012 אפיון היציבות של רווח נוכחי ופעולת מצב מפולת של BJTs 4H-SiC
10 kV SiC BJTs – static, switching and reliability characteristics
מאי, 2013 10 kV SiC BJTs – static, switching and reliability characteristics
Rapidly Maturing SiC Junction Transistors Featuring Current Gain (β) > 130, Blocking Voltages Up To 2700 V and Stable Long-Term Operation
אוקטובר, 2013 Rapidly Maturing SiC Junction Transistors Featuring Current Gain (β) > 130, Blocking Voltages Up To 2700 V and Stable Long-Term Operation
Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation
אפריל, 2014 Silicon Carbide Junction Transistors and Schottky Rectifiers optimized for 250°C operation